10N50A-220-263-220C中文规格书广东奥科半导体.pdf

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2021-09-14 发布于广东
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N-CHANNEL MOSFET 10N50A 10A 500V N沟道增强型场效应管主要参数： ID 10A G.栅极D.漏极S.源极 VDSS 500V RDSON-typ(@VGS =10V) 0.56Ω 性能特点： 开关速度快 低导通电阻 低反向传输电容 低栅极电荷量  100%单脉冲雪崩能量测试 提升了dv/dt能力机械性能： 注塑成型封装 适用任何位置安装 封装材料符合UL 94V-0燃烧防火等级标准 加工焊接峰值最高温度 275°C ；时间丌大于10s 封装形式: TO-220C, TO-220F, TO-263 产品规格分类：产品料号封装形式产品印字包装方式 AK10N50A2 TO-220F(0.5mm) 10N50AF 50PCS每管 AK10N50A8 TO-220F(1.3mm) 10N50AF 50PCS每管 AK10N50A3 TO-263 10N50AS 50PCS每管 AK10N50A3-R TO-263 10N50AS 800PCS每盘 AK10N50A9 TO-220C 10N50AC 50PCS每管 1 / 6 Guang Dong akmosfet Co., LTD. N-CHANNEL MOSFET 10N50A 极限参数:(除非特殊说明，T =25°C) C 参数范围参数名称符号单位 220C 220F 252 漏源电压 VDS 500 V 栅源电压 VGS ±30 V 漏极电流-持续（T =25°C ） 10 C ID A -持续（T =100°C ）