场效应MOS管AK6005R参数5A60V封装SOT-223.pdf

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2021-09-14 发布于广东
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AK6005R AK N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D The AK6005R uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. G General Features ● V =60V,I =5A DS D S RDS(ON) 55mΩ @ VGS=10V （Typ: 46mΩ） RDS(ON) 80mΩ @ VGS=4.5V （Typ: 60mΩ） Schematic diagram Application ● Power switching application ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCE6005R AK6005R SOT-223-3L Ø330mm 12mm 2500 units Absolute Maximum Ratings (T =25℃unless otherwise noted) A Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous ID 5 A Drain Current-Continuous(T =100℃) I (100℃) 3.5 A C D P