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AK2301F
AK P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
The AK2301F uses advanced trench technology to provide D
excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate
voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a G
load switch or in PWM applications.
S
General Features
Schematic diagram
● VDS = -20V,ID = -2 A
RDS(ON) 150mΩ@ VGS=-2.5V
RDS(ON) 120mΩ@ VGS=-4.5V
● High power and current handing capability
● Lead free product is acquired
● Surface mount package
Application
● PWM applications
● Load switch
Package Marking and Ordering Information
Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity
2301F AK2301F SOT-23 Ø180mm 8 mm 3000 units
Absolute Maximum Ratings (T =25℃unless otherwise noted)
A
Parameter Symbol Limit Unit
Drain-Source Voltage VDS -20 V
Gate-Source Voltage VGS ±12 V
Drain Current-Continuous ID -2.0 A
Drain Current -Pulsed (Note 1) IDM -10 A
Maximum Power Dissipation PD 0.7
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