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AKZE16N05
N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY FEATURES
• TrenchFET® Power MOSFET
VDS (V) rDS(on) (Ω) ID (A)a
• 175 °C Junction Temperature
0.026 at VGS = 10 V 41
60
0.030 at VGS = 4.5 V 30
D
TO-252
G
Drain Connected to Tab
S
G D S
op V e N-Channel MOSFET
T i w
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter Symbol Limit Unit
Gate-Source Voltage VGS ± 20 V
TC = 25 °C 41
Continuous Drain Current (TJ = 175 °C)b ID
TC = 100 °C 28
Pulsed Drain Current IDM 100 A
Continuous Source Current (Diode Conduction
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