8N60A-220-263中文规格书广东奥科半导体.pdf

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N-CHANNEL MOSFET 8N60A 8A 600V N沟道增强型场效应管主要参数： ID 8A G.栅极D.漏极S.源极 VDSS 600V RDSON-typ(@VGS =10V) 0.85Ω 性能特点： 开关速度快 低导通电阻 低反向传输电容 低栅极电荷量  100%单脉冲雪崩能量测试 提升了dv/dt能力机械性能： 注塑成型封装 适用任何位置安装 封装材料符合UL 94V-0燃烧防火等级标准 加工焊接峰值最高温度 275°C ；时间丌大于10s 封装形式: TO-220AB, TO-220F, TO-263 产品规格分类：产品料号封装形式产品印字包装方式 AK8N60A1 TO-220AB 8N60AT 50PCS每管 AK8N60A2 TO-220F(0.5mm) 8N60AF 50PCS每管 AK8N60A3 TO-263 8N60AS 50PCS每管 AK8N60A3-R TO-263 8N60AS 800PCS每盘 1 / 6 Guang Dong akmosfet Co., LTD. N-CHANNEL MOSFET 8N60A 极限参数:(除非特殊说明，T =25°C) C 参数范围参数名称符号单位 220AB 220F 263 漏源电压 VDS 600 V 栅源电压 VGS ±30 V 漏极电流-持续 ID 8 A 漏极脉冲电流(注 1) IDM 32 A 耗散功率 PD 100 28 100 W 单脉冲雪崩能量(注 1) EA