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N-CHANNEL MOSFET 5N65A
5A 650V N沟道增强型场效应管
主要参数：
ID 5A
G.栅极D.漏极S.源极
VDSS 650V
RDSON-typ(@VGS =10V) 2.0Ω
性能特点：
开关速度快
低导通电阻
低反向传输电容
低栅极电荷量
100%单脉冲雪崩能量测试
提升了dv/dt能力
机械性能：
注塑成型封装
适用任何位置安装
封装材料符合UL 94V-0燃烧防火等级标准
加工焊接峰值最高温度 275°C ；时间丌大于10s
封装形式: TO-220AB, TO-220F, TO-263, TO-252, TO-251
产品规格分类：
产品料号 封装形式 产品印字 包装方式
AK5N65A1 TO-220AB 5N65AT 50PCS每管
AK5N65A2 TO-220F(0.5mm) 5N65AF 50PCS每管
AK5N65A3 TO-263 5N65AS 50PCS每管
AK5N65A3-R TO-263 5N65AS 800PCS每盘
AK5N65A4 TO-251 5N65AMJ 75PCS每管
AK5N65A5-R TO-252 5N65AD 2500PCS每盘
1 / 7 Guang Dong akmosfet Co., LTD.
N-CHANNEL MOSFET 5N65A
极限参数:(除非特殊说明，T =25°C)
C
参数范围
参数名称 符号 单位
220AB/263 220F 251/252
漏源电压 VDS 650 V
栅源电压 VGS ±30 V
漏极电流-持续 ID 5 A
漏极脉冲电流(注 1) IDM 20
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