超结MOS管AKP40T17AT参数170A40V封装TO-247.pdf

下载文档

3
0
约2.02万字
约 5页
2021-09-17 发布于广东
举报
版权申诉
保障服务

超结MOS管AKP40T17AT参数170A40V封装TO-247.pdf

1、本文档共5页，可阅读全部内容。
2、有哪些信誉好的足球投注网站（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

AKP40T17AT AK N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The AKP40T17ATuses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of R and Q . This device is ideal for DS(ON) g high-frequency switching and synchronous rectification. Schematic Diagram General Features ● V =40V,I =170A DS D RDS(ON)=1.4mΩ (typical) @ VGS=10V ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) ● Very low on-resistance RDS(on) ● 175°C operating temperature ● Pb-free lead plating ● 100% UIS tested Application ● DC/DC Converter 100% UIS TESTED! ● Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification 100% ∆Vds TESTED! Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity AKP40T17AT AKP40T17AT TO-247-3L - - - Absolute Maximum Ratings (T =25℃unless otherwise noted) C Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 40 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous (Silicon Limited)