超结MOS管AK65R540参数8A650V封装TO-220.pdf

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2021-09-17 发布于广东
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AK65R540 AK65R540DAK65R540F N-Channel Super Junction Power MOSFET Ⅱ General Description The series of devices use advanced super junction VDS 650 V technology and design to provide excellent RDS(ON) with low RDS(ON) MAX 540 mΩ gate charge. This super junction MOSFET fits the industry’s ID 8 A AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applications. Features ●New technology for high voltage device ●Low on-resistance and low conduction losses ●Small package ●Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements ●100% Avalanche Tested ●ROHS compliant Application ● Power factor correction （PFC） ● Switched mode power supplies(SMPS) Schematic diagram ● Uninterruptible Power Supply （UPS） Package Marking And Ordering Information Device Device Package Marking AK65R540D TO-263 AK65R540D AK65R540 TO-220 AK65R540 AK65R540F TO-220F AK65R540F Table 1. Absolute Maximum Ratings (T =25℃) C AK65R540D Parameter Symbol AK65R540F Unit AK65R540 Drain-Source Voltage (VGS=0V ） VDS 650 V Gate-Source Voltage (VDS=0V) VGS ±30 V Continuous Drain Current at Tc=25°C ID (DC) 8 8* A