超结MOS管AK60R1K2I参数4A650V封装TO-251.pdf

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2021-09-17 发布于广东
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AK60R1K2IAK60R1K2K N-Channel Super Junction Power MOSFET Ⅱ General Description The series of devices use advanced super junction VDS@Tjmax 650 V technology and design to provide excellent RDS(ON) with low RDS(ON) MAX 1200 mΩ gate charge. This super junction MOSFET fits the industry’s I 4 A D AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applications. Features ●New technology for high voltage device ●Low on-resistance and low conduction losses ●Small package ●Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements ●100% Avalanche Tested ●ROHS compliant Application ● Power factor correction （PFC） ● Switched mode power supplies(SMPS) Schematic diagram ● Uninterruptible Power Supply （UPS） Package Marking And Ordering Information Device Device Package Marking AK60R1K2I TO-251 AK60R1K2I AK60R1K2K TO-252 AK60R1K2K Table 1. Absolute Maximum Ratings (T =25℃) C Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage (VGS 0V ） VDS