超结MOS管AK60R2K2I参数2A650V封装TO-251.pdf

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AK60R2K2IAK60R2K2K N-Channel Super Junction Power MOSFET Ⅱ General Description The series of devices use advanced super junction VDS@Tjmax 650 V technology and design to provide excellent RDS(ON) with low RDS(ON) TYP 1.85 Ω gate charge. This super junction MOSFET fits the industry’s I 2 A D AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applications. Features ●New technology for high voltage device ●Low on-resistance and low conduction losses ●Small package ●Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements ●100% Avalanche Tested ●ROHS compliant Application ● Power factor correction (PFC) ● Switched mode power supplies(SMPS) Schematic diagram ● Uninterruptible Power Supply (UPS) Package Marking And Ordering Information Device Device Package Marking AK60R2K2I TO-251 AK60R2K2I AK60R2K2K TO-252 AK60R2K2K Table 1. Absolute Maximum Ratings (T =25℃) C Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage (VGS=0V )

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