- 1、本文档共7页,可阅读全部内容。
- 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
AK60R900IAK60R900K
N-Channel Super Junction Power MOSFET Ⅱ
General Description
The series of devices use advanced super junction VDS @Tjmax 650 V
technology and design to provide excellent RDS(ON) with low RDS(ON). 900 mΩ
gate charge. This super junction MOSFET fits the industry’s I 5 A
D
AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power
conversion, and industrial power applications.
Features
●New technology for high voltage device
●Low on-resistance and low conduction losses
●Small package
●Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements
●100% Avalanche Tested
●ROHS compliant
Application
● Power factor correction (PFC)
● Switched mode power supplies(SMPS) Schematic diagram
● Uninterruptible Power Supply (UPS)
Package Marking And Ordering Information
Device Device Package Marking
AK60R900I TO-251 AK60R900I
AK60R900K TO-252 AK60R900K
Table 1. Absolute Maximum Ratings (T =25℃)
C
Parameter Symbol Value Unit
Drain-Source Voltage (VGS 0V ) VDS
您可能关注的文档
- 场效应MOS管AK0106Z参数6A100V封装TO-92.pdf
- 场效应MOS管AK0202ZA参数2A200V封装TO-92.pdf
- 场效应MOS管AK0202Z参数2A200V封装TO-92.pdf
- 场效应MOS管AK1803ZA参数3A185V封装TO-92.pdf
- 场效应MOS管AK20ND06参数6A20V封装TSSOP-8.pdf
- 超结MOS管AK70T1K2R参数4A700V封装SOT-223.pdf
- 超结MOS管AK70T900R参数5A700V封装SOT-223.pdf
- 超结MOS管AK60R180参数21A650V封装TO-220.pdf
- 超结MOS管AK60R1K2参数4A650V封装TO-220.pdf
- 超结MOS管AK60R360参数11A650V封装TO-220.pdf
文档评论(0)