超结MOS管AK70T360I参数11.5A700V封装TO-251.pdf

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2021-09-17 发布于广东
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AK70T360IAK70T360K N-Channel Super Junction Power MOSFET Ⅲ General Description The series of devices use advanced trench gate super VDS 700 V junction technology and design to provide excellent RDS(ON) RDS(ON)TYP 330 mΩ with low gate charge. This super junction MOSFET fits the I 11.5 A D industry’s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applications. Features ● New technology for high voltage device ● Low on-resistance and low conduction losses ● Small package ● Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements ● 100% Avalanche Tested ● ROHS compliant Application ● Power factor correction （PFC） ● Switched mode power supplies(SMPS) Schematic diagram ● Uninterruptible Power Supply （UPS） Package Marking And Ordering Information Device Device Package Marking AK70T360K TO-252 AK70T360K AK70T360I TO-251 AK70T360I Table 1. Absolute Maximum Ratings (TC=25℃) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage (VGS=0V ） VDS 700 V G