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AKP023N85
AK N-Channel Super Trench II Power MOSFET
Description
The series of devices uses Super Trench II technology that is General Features
uniquely optimized to provide the most efficient high frequency ●V =85V,I =260A
DS D
switching performance. Both conduction and switching power RDS(ON)=2.0mΩ , typical (TO-220)@ VGS=10V
losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON)=1.8mΩ , typical (TO-263)@ VGS=10V
R and Q . This device is ideal for high-frequency switching
DS(ON) g ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)
and synchronous rectification. ● Very low on-resistance RDS(on)
Application ●175 °C operating temperature
●DC/DC Converter ●Pb-free lead plating
●Ideal for high-frequency switching and synchronous 100% UIS TESTED!
rectification 100% ∆Vds TESTED!
Schematic Diagram
Package Marking and Ordering Information
Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity
AKP023N85 AKP023N85 TO-220 - - -
AKP023N85D AKP023N85D TO-263 - - -
Absolute Maximum Ratings (T =25℃unless otherwise noted)
C
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