光刻缺陷检查培训.pptx

Visual Defect IntroductionE1-INT3 XY05 Cross section (bipolar):Layer CodeIn-line hold 货如是defect原因，请按照右表格式key in comment.AC：Arcing 外观：金属表面呈烧焦及熔岩状，而且沿着金属线路熔毁。或圆形爆炸状成因：在电浆（Plasma）环境中，高浓度的带正电离子经由电弧（ARC）对晶片表面容易蓄积电荷或导电部位放电时所产生的高热熔毁金属线路。OM figure: M1ACBC / BV：Blind Contact / Blind VIA外观： Contact（连接M1/Poly) / VIA (连接M1/M2)的大小变小或完全消失不见。成因： a, Photo焦距偏差（defocus），以至于contact /VIA部位曝光不足，而无法曝开； b, Photo 光阻涂布不良，使底层被蚀刻掉。OM figure: COBC V1BVBR ：bridge外观： 图形桥接 成因： PHOTO defocus OM figure:C1：Tape residue外观：胶带残留，只发生在最上层，可以擦掉。（背面磨薄制程中，胶带粘表面）成因：透明胶状物OM figure:Remark:目前SinoMOS尚未涉及到晶背研磨，故不会出现C1的defect.C2 ：Foreign contamination外观：不规则状，非透明物，一般呈现条状。成因：晶片后续操作中引入，多数在可以清洗掉OM figure: PAC2CR ：corrosion外观： Metal Line侧边有泡状/多颗泡状衍生物，造成金属凹陷。成因： a,金属蚀刻后的氯（Cl）残留，遇水气后形成盐酸（HCL）而继续腐蚀金属，包 括制程异常造成大量氯残留，PR/Polymer残留氯，放置时间太久； b,其它酸腐蚀（如BPSG中的P遇水气形成磷酸）。OM figure: M1CR M2CRCK：Crack外观：非正常图形定义线条，如护层龟裂，破裂處金屬光澤較強烈（即較亮）成因：a. VIA龜裂可能SOG不均 或护层结构异常 b.護層龜裂护层应力不协调 或外物DAMAGE。OM figure: V1CKC3：Si fragment外观：有棱角，片岩状碎屑。成因：晶片破片，叠片以及刮伤等。OM figure: PAC3 CO：contamination外观：不规则状物成因：晶片制程中引入（机台异常或人为操作不当），多数清洗不掉OM figure: PACO DC：Dis-color外观：强光灯或肉眼下可见WAFER表面颜色不均匀，OM下街道颜色不均匀成因：Film 厚度不均匀OM figure: OXDCDM：Damaged （silicon damage）外观：圆圈状，水滴状，如出现在Silicon裸露的街道为聚集的水滴状，向街道交叉处聚集。成因：制程中Silicon 裸露时，被氨水damage OM figure: WADMSize 3 um, OOS.HL：Hillock外观：在金属表面或测边 a,原形平顶突起 b,尖顶状突起 c,多角形平頂突起。成因：金属原子在热循环（Thermal Cycle）中，因热膨胀系数不同而产生的应力之作用而形成的丘状突起。OM figure: M2HLHZ：Nitride haze外观：发生在Nitride 层，强光灯下可见雾状物，OM下为密集的细小PA （暗区检查较好）。成因：SIN反应中固体产物抽离不及，落在WAFER 上。OM figure: SNHZLD：local defocus外观：OM下图形有基本形貌，但不同程度变形成因： defocus (机台异常或WAFER 底部不平坦)OM figure:MA：mis-alignment 外观：图形便移，与其他图形重叠 全批/单片重复性缺陷成因： Layer to layer mis-alignment 或REWORK 图形残留OM figure:NU：Non-uniform 外观： VIA层有液滴或条状突起成因：（ a, SOG涂布时湿度控制不良，造成泡沫状或条状突起。 ） ？？ b, 洗边时，洗边液IPA （压力流量控制不稳）滴入SOG film上。OM figure:OE：over etch外观： 金属线路变窄 成因： 金属ETCH时 ，polymer 未保护好侧壁导致金属线ETCH 过多，变形 OM figure:PA：particle 典型PA 1： COPA 外观：a, 多存在于T2位置，呈竖列分布； b, 簇状分布，颗粒size较小且分布相对集中； c, metal会被particle顶起，且突起部分呈现m