- 1、本文档共326页,可阅读全部内容。
- 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
模拟电子电路;教师:;课程信息:;题例;Ch0 电子学与模拟电子技术概述 ;Ch0 电子学与模拟电子技术概述;模拟电子电路;Ch1 半导体和基本半导体器件 ;1.1 半导体基础;半导体特性;本征半导体;本征半导体的原子结构和共价键:;1. 本征半导体中有两种载流子;本征半导体载流子的浓度:;载流子的产生与复合:;杂质半导体;N型半导体:;P型半导体:;Ch1 Semiconductor…\1.1 Elementary\… ;1.2 PN结与二极管;;内电场阻止多子扩散 ;?;1. PN结加正向电压时的导电情况;2. PN结加反向电压时的导电情况;结论:PN结具有单向导电性。;式中 Is ? 饱和电流;
VT = kT/q ?等效电压
k ? 波尔兹曼常数;
T=300K(室温)时 VT= 26mV;? 势垒电容CB; 扩散电容是由多子扩散后,在PN结的另一侧面积累而形成的。因PN结正偏时,由N区扩散到P区的电子,与外电源提供的空穴相复合,形成正向电流。刚扩散过来的电子就堆积在 P 区内紧靠PN结的附近,形成一定的多子浓度梯度分布曲线。;PN结的反向击穿;;? 二极管的伏安特性;? 晶体二极管的伏安特性;;;;1.3 各类二极管及其应用;? 稳压二极管;? 稳压二极管;;光电二极管与发光二极管;;发 光 二 极 管;二极管的应用;;二极管应用;; 依靠电容的冲放电作用可减小纹波:
当电压小于电容两端电压时,由电容向负载放电。
当电压大于电容两端电压时,由电压向电容充电,并向负载提供电压。;二极管应用;小 结;? 二极管实际上就是一个PN结,描述二极管的性能 常用二极管的伏安特性,可用二极管的电流方程来描述
即二极管两端的电压和流过的电流满足I=Is(e U/UT-1).
硅管:当UD0.7V时,二极管导通,导通后,UD=0.7V
锗管:当UD0.3V时,二极管导通,导通后,UD=0.3V
? 稳压管是一种应用很广的特殊类型的二极管,工作区在反向击穿区。可以提供一个稳定的电压。使用时注意加限流电阻。
? 二极管基本用途是整流稳压和限幅。
? 半导体光电器件分光敏器件和发光器件,可实现光—电、电—光转换。光电二极管应在反压下工作,而发光二极管应在正偏电压下工作。;重点:晶体二极管的原理、伏安特性及电流方程。
难点:1.两种载流子
2.PN结的形成
3.单向导电性
4.载流子的运动
;半导体二极管的型号;半导体二极管图片;半导体二极管图片;半导体二极管图片;1.4 双极型三极管—BJT;Ch1 Semiconductor…\1.4 BJT \… ;Ch1 Semiconductor…\1.4 BJT \… ;Sect;Ch1 Semiconductor…\1.4 BJT \… ;Ch1 Semiconductor…\1.4 BJT \… ;Ch1 Semiconductor…\1.4 BJT \… ;Ch1 Semiconductor…\1.4 BJT \… ;Ch1 Semiconductor…\1.4 BJT \… ;Sect;三极管输入特性曲线;三极管输出特性曲线;三极管输出特性曲线;Sect;① ICM —— 集电极最大允许电流;;直流参数;电流放大系数;1.5 场效应管—FET;Ch1 Semiconductor…\1.5 FET \… ;FET与BJT的区别;Ch1 Semiconductor…\1.5 FET \… ;? JFET结构;; 当UGS=0时,沟道较宽,在UDS的作用下N沟道内的电子定向运动形成漏极电流ID。
当UGS<0时,PN结反偏,PN结加宽,漏源间的沟道将变窄,ID将减小,
当UGS继续向负方向增加,沟道继续变窄,ID继续减小直至为0。
当漏极电流为零时所对应的栅源电压UGS称为夹断电压UP。
;? JFET特性曲线;结型场效应管;Ch1 Semiconductor…\1.5 FET \… ;? N沟道增强型MOS场效应管结构;
当UGS较小时,虽然在P型衬底表面形成一层耗尽层,但负离子不能导电。
当UGS=UT时, 在P型衬底表面形成一层电子层,形成N型导电沟道,在UDS的作用下形成ID。
;? N沟道增强型MOS场效应管特性曲线;? N沟道增强型MOS场效应管特性曲线;? N沟道增强型MOS场效应管特性曲线;?
文档评论(0)