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第二章 门电路;第一讲 概述;获得高、低电平的基本原理;正逻辑：高电平表示1，低电平表示0 负逻辑：高电平表示0，低电平表示1 ;第二讲 半导体器件的开关特性;一、D的开关特性：;二极管的开关等效电路：;二极管的动态电流波形：;二、T的开关特性;三极管的开关等效电路;动态开关特性;三、MOS管的基本开关电路;等效电路;第三讲 由分立件构成的门电路;一、 二极管与门
;二、 二极管或门;三 、三极管反相器;分立件构成的门电路的缺点;第四讲 TTL集成门电路;常用DIC芯片系列： ;一、TTL与???门工作原理;多发射极三极管;二、电压传输特性;需要说明的几个问题：
;特性参数：;输入噪声容限;输入特性;输出;带负载能力 ;（以74XX系列IC的电气参数为例）
输出低电平扇出系数NOL：
输出高电平扇出系数NOH：
取NOL、NOH中较小者的整数部分：
NO（N）=10;输入端负载特性 ;RP的影响;TTL门电路多余输入端的处置 ; TTL反相器的动态特性;动态尖峰电流; 拟制措施：
降低电源内阻。
减小引线电阻。
在靠近IC的电源—地线间加去耦电容。;改进系列TTL与非门简介 ;改进措施：
⑴电阻阻值减小近一倍，
∴内分布电容充、放电速度提高。
⑵输出级T3、T4组成“达林顿”结构，
∴提高了高电平电流驱动能力。
改善性能：
⑴较74XX系列，速度提高近一倍（tpd↓≤10ns）.
⑵电流驱动能力提高[IOH(max)=0.5mA ;
IOL(max)=-20 mA] ;2、74SXX（肖特基）系列： ;在74H系列基础上，又采取以下两条改进措施：
⑴采用肖特基（抗饱和）三极管。
⑵用T6、RB、RC有源网络取代泄放电阻R3。
改进效果：
⑴抗饱和三极管工作在浅饱和区，
∴开关速度更高（tpd↓≤5ns）
⑵∵有be6与be2串联，
∴改善了电压传输特性，
增强了抗干扰能力。;第五讲 其他类型的TTL门电路;从逻辑功能分：
非门、或非门、与或非门、异或门
;非门;或非门;与或非门;异或门;从输出结构上 ：
“推拉式”（图腾柱）
集电极开路（OC）输出
三态（TS）输出
;一、集电极开路（OC）输出的与非门 ;推拉式输出电路结构的局限性;1.OC输出与非门 ;OC门实现的线与;外接负载电阻RL的计算;三、三态输出门（Three state Output Gate ,TS）;EN：控制（使能、允许、选通）端（高电平有效）
EN=1——TS门工作状态：
EN=0——禁止状态：
输出“高阻态”。
功能表：
;TS门应用 ;⑵数据的双向传输
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