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第四章
晶体管及其小信号放大(1)
电子电路基础;§1 双极型晶体管（BJT）;;电路
符号;§ 1.2 BJT的电流分配与放大原理;; （1）IE= IEN+ IEP 且有IENIEP
IEN=ICN+ IBN 且有IEN IBN ，ICNIBN
;3 三极管的电流放大系数;;B;§ 1.2 晶体管的共射极特性曲线;;2、输出特性曲线;IC(mA );IC(mA );输出特性三个区域的特点:;例1：试判断三极管的工作状态;例2：用数字电压表测得放大电路中晶体管的各极电位，试判断晶体管的类型（为NPN型还是PNP型，硅管还是锗管，分别标上B、E、C。;例3： ?=50， USC =12V，
RB =70k?， RC =6k?
当USB = -2V，2V，5V时，
晶体管的静态工作点Q位
于哪个区？;例： ?=50， USC =12V，
RB =70k?， RC =6k?
当USB = -2V，2V，5V时，
晶体管的静态工作点Q位
于哪个区？;USB =5V时:;1. 电流放大倍数和 ?;5.反向击穿电压;6. 集电极最大允许功耗PCM; 由PCM、 ICM和V(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区。
;§ 1.4 晶体管的温度特性;国家标准对半导体晶体管的命名如下:
3 D G 110 B
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