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模拟电子技术
第一章半导体二极管
一 . 半导体的根底知识
1. 半导体 ---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质
2. 特性 ---光敏、热敏和掺杂特性。
3. 本征半导体 ---- 纯洁的具有单晶体构造的半导体。
(如硅 Si、锗 Ge)。
4. 两种载流子 ---- 带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5. 杂质半导体 ---- 在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。表达的是半导体的掺杂特性。 *P 型半导体 : 在本征半导体中掺入微量的三价元素〔多子是空穴,少子是电子〕 。
*N 型半导体 : 在本征半导体中掺入微量的五价元素〔多子是电子,少子是空穴〕 。
6. 杂质半导体的特性
* 载流子的浓度 --- 多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。
* 体电阻 ---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
* 转型 ---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN 结
* PN 结的接触电位差
* PN 结的单向导电性
8. PN 结的伏安特性
---硅材料约为 0.6~0.8V ,锗材料约为 0.2~0.3V 。
---正偏导通,反偏截止。
二 . 半导体二极管
* 单向导电性 ------ 正向导通,反向截止。
* 二极管伏安特性 ---- 同PN结。
* 正向导通压降 ------ 硅管 0.6~0.7V ,锗管 0.2~0.3V 。
* 死区电压 ------ 硅管 0.5V ,锗管 0.1V 。
3. 分析方法 ------ 将二极管断开,分析二极管两端电位的上下 :
假设 V 阳 V 阴( 正偏 ) ,二极管导通 (短路 );
假设 V 阳 V 阴( 反偏 ) ,二极管截止 (开路 )。
1 〕图解分析法
该式与伏安特性曲线
的交点叫静态工作点 Q。
. .zl
2) 等效电路法
? 直流等效电路法
* 总的解题手段 ---- 将二极管断开,分析二极管两端电位的上下 :
假设 V 阳 V 阴( 正偏 ),二极管导通 (短路 );
假设 V 阳 V 阴( 反偏 ),二极管截止 (开路 )。
* 三种模型
? 微变等效电路法
三 . 稳压二极管及其稳压电路
* 稳压二极管的特性 ---正常工作时处在 PN 结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连 接。
第二章三极管及其根本放大电路
一 . 三极管的构造、类型及特点
1. 类型 ---分为 NPN 和 PNP 两种。
2. 特点 ---基区很薄,且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高,与基区接触 面积较小;集电区掺杂浓度较高,与基区接触面积较大。
. .zl
二 . 三极管的工作原理
1. 三极管的三种根本组态
2. 三极管内各极电流的分配
* 共发射极电流放大系数 (说明三极管是电流控制器件
式子 称为穿透电流。
3. 共射电路的特性曲线
* 输入特性曲线 --- 同二极管。
* 输出特性曲线
(饱和管压降,用 UCES 表示
放大区 ---发射结正偏,集电结反偏。
截止区 ---发射结反偏,集电结反偏。
4. 温度影响
温度升高,输入特性曲线向左移动。
温度升高 ICBO、 ICEO、 IC 以及 β均增加。
三 . 低频小信号等效模型〔简化〕
hie---输出端交流短路时的输入电阻,
常用 rbe 表示;
hfe--- 输出端交流短路时的正向电流传输比,
常用β表示;
四 . 根
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