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绪论
一、填空题
1、材料科学主要研究的核心问题是 结构和性能的关系。
材料的结构是理解和控制性能的中心环节,结构的最微细水平是 原子结构,
第二个水平是 原子排列方式 ,第三个水平是 显微组织 。
2. 根据材料的性能特点和用途,材料分为 结构材料 和功能材料 两大类。
根据原子之间的键合特点, 材料分为 金属、 陶瓷、 高分子 和复合材料四大类。
第一章 材料的原子结构
一、填空题
1. 金属材料中原子结合以 金属键为主,陶瓷材料(无机非金属材料)以
共价键 和离子键 结合键为主,聚合物材料以 共价键 和氢键以及范德华 键为主。 第二章 材料的结构
一、填空题
1、 晶体是 基元 (原子团) 以周期性重复方式在三维空间作有规则的排列的固体 。
2、晶体与非晶体的最根本区别是 晶体原子排布长程有序 , 而非晶体是长程无序 短程有序。
3、晶胞是 晶体结构中的最小单位 。
4、根据晶体的对称性,晶系有三大晶族,七大晶系,十四种布拉菲 Bravais 点
阵,三十二种点群, 230 种空间群。
5、金属常见的晶格类型有 体心立方、 面心立方、 密排六方 。
6、 fcc 晶体的最密排方向为 110,最密排面为 {111} ,最密排面的堆垛顺序为 ABCABCABCA 。
7、 fcc 晶体的致密度为 0.74 ,配位数为 12,原子在( 111)面上的原子配位数 为 6。
8、 bcc 晶体的最密排方向为 111,最密排面为 {110} ,致密度为 0.68 ,配位数 为 8。
9、晶体的宏观对称要素有 对称点、 对称轴、 对称面 。
10、 CsCl 型结构属于 简单立方格子 , NaCl 型结构属于 面心立方格子 , CaF2 型结 构属于 面心立方格子 。
11、 MgO晶体具有 NaCl 型结构,其对称型是 3 L 44L36L29PC,晶族是 高级晶族, 晶系是 立方晶系 ,晶体的键型是 离子键。
12、硅酸盐晶体结构中的基本结构单元是 硅氧四面体 [SiO 4] 。
13、几种硅酸盐晶体的络阴离子分别为 [Si2O7]6- 、 [Si2O6]4- 、 [Si4O10]4- 、
1 / 7
[AlSi3O8]1- ,它们的晶体结构类型分别为 组群状, 链状, 层状,和架状。
14、表征晶体中晶向和晶面的方法有 解析法 和图示 法。
二、分析计算
1、 Ni 为面心立方结构,原子半径 r=0.1243nm,求 Ni 的晶格常数和密度。
;
2、 Mo为体心立方结构,晶格常数 a=0.3147nm,求 Mo的原子半径 r。
3、 CsCl 中铯与氯的离子半径分别为 0.167nm、 0.181nm。
试问( 1)在 CsCl 内离子在 100或111方向是否相接触?
(2)每单位晶胞内有几个离子?
(3)各离子的配位数是多少?
(4)密度 ρ 和堆积系数(致密度) K?
4、MgO具有 NaCl 型结构。 Mg2+的离子半径为 0.072nm,2-O的离子半径为 0.140 nm。 试求 MgO的密度 ρ 和堆积系数(致密度) K。
5、下列 硅酸盐化合物 属于什么 结构类型?
MgFe 2 SiO4 , Zn4 Si2O7 OH 2, BaTi Si3O9 , Be3Al 2 Si4O28 , Ca3 Si3O8 , KCa4 Si4 O10 2 F8H 2 O, Ca Al2 Si2 O8 , K AlSi2O6
解:第一种, Si: O=1: 4 所以是岛状 ,共顶数为 0;第二种共顶数一个, 成对硅
氧团 ;第三种 Si: O=1: 3,共顶数为两个,三节环;第四种 Si: O=1: 3 六节环; 第五种三节环,这几种都是 组群状 ;第六种 Si: O=2: 5 为层状,第七种第八种 Si (Al): O=1: 2 为架状。
第三章 晶体结构缺陷
一、填空题
1、按几何组态,晶体中的缺陷分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。
2、点缺陷主要包括空位、间隙原子、置换原子;线缺陷有位错;面缺陷包括晶
界、相界、表面等。
2 / 7
21a61a31a
2
1
a
6
1
a
3
1
a
3、描述位错性质及特征的是柏氏矢量 b。
4、位错的类型有刃位错、螺位错和混合位错。
5、位错线与柏氏矢量垂直的位错为刃位错,位错线与柏氏矢量平行的位错称为
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