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电力电子技术概念词汇解析 电力电子技术概念词汇解析 电力电子技术是电子技术的一个分支，其主要研究领域在电力系统，关键词汇有： 电力电子器件（Power Electronic Device） 电力电子器件（Power Electronic Device）又称为功率半导体器件；是指可直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换与控制的电子器件。 主电路(Power Circuit) 在电器设备或电力系统中.直接承担电能的交换或控制任务的电路称为主电路。 电力二极管（Power Diode） 电力二极管（Power Diode）在20世纪50年代初期就获得应用，当时也被称为半导体整流器；它的基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管是一样的，都以半导体PN结为基础，实现正向导通、反向截止的功能；其重要类型有：普通二极管，快恢复二极管，肖特基二极管。 晶闸管（Thyristor） 晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅；1957年美国通用电器公司开发出世界上第一晶闸管产品，并于1958年使其商业化；晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和门极；晶闸管工作条件为：加正向电压且门极有触发电流；其派生器件有：快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。 门极可关断晶闸管（Gate-Turn-Off Thyristor―GTO） 门极可关断晶闸管（Gate-Turn-Off Thyristor―GTO）也是晶闸管（Thyristor）的一种派生器件，但可以通过在门极施加负脉冲使其关断，因而属于全控型器件；它和普通晶闸管一样，也是PNPN四层结构，外部引出三个极，阳极，阴极和门极；工作条件同普通晶闸管；其主要用于兆瓦级以上的大功率场合。 电力晶体管（Giant Transistor―GTR） 电力晶体管按英文Giant Transistor直译为巨型晶体管，是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor―BJT），所以有时也称为Power BJT；其特性有：耐压高，电流大，开关特性好，但驱动电路复杂，驱动功率大；GTR和普通双极结型晶体管的工作原理是一样的。 电力场效应晶体管（Power MOSFET） 电力场效应晶体管分为两种类型，结型和绝缘栅型，但通常所说的是绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET），简称电力MOSFET（Power MOSFET），P-MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流，它的显著特点是驱动电路简单，驱动功率小，开关速度快，工作频率高；但是其电流容量小，耐压低，只用于小功率的电力电子装置，其工作原理与普通MOSFET一样。 1 绝缘栅双极晶体管（Insulate-Gate Bipolar Transistor―IGBT） 绝缘栅双极晶体管（Insulate-Gate Bipolar Transistor―IGBT）综合了电力晶体管（Giant Transistor―GTR）和电力场效应晶体管（Power MOSFET）的优点，具有良好的特性，应用领域很广泛；IGBT也是三端器件：栅极，集电极和发射极。 半控型器件 通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断的电力电子器件被称为半控型器件，这类器件主要是晶闸管（Thyristor）及其大部分派生器件。 全控型器件 通过控制信号既可以控制其导通，又可以控制其关断的电力电子器件被称为全控型器件，又称为自关断器件；这类器件很多，门极可关断晶闸管（Gate-Turn-Off Thyristor―GTO），电力场效应晶体管（Power MOSFET），绝缘栅双极晶体管（Insulate-Gate Bipolar Transistor―IGBT）均属于此类。 双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor―BJT） 双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor―BJT）又称为半导体三极管，它是通过一定的工艺将两个PN结结合在一起的器件，有PNP和NPN两种组合结构；外部引出三个极：集电极，发射极和基极，集电极从集电区引出，发射极从发射区引出，基极从基区引出（基区在中间）；BJT有放大作用，重要依靠它的发射极电流能够通过基区传输到达集电区而实现的，为了保证这一传输过程，一方面