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《电力电子技术》模拟试题一 第1 页 （共9 页） 二○一八～ 二○一九学年 第2 学期 考试日期： 年 月 日 试卷类型：A 试卷代号： 班号 学号 姓名 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 得分 本题分数 24 一、不定项选择题: (24 分) 得 分 1. (4’) 在下列功率半导体器件中，额定电流根据有效值选择的器件是 ( )，属于电压 控制型的全控器件是 ( ) ，适用于高频(数十千Hz)工作的可控型器件是( ) ，有两 种载流子参与导电的全控型器件是( ) 。 A. 晶闸管(SCR)； B. 功率二极管； C. 功率晶体管(GTR)； D. MOSFET ； E. IGBT 。 2. (2’) 以下关于单相桥式可控整流电路叙述正确的是 ( ) 。 A. 晶闸管承受的最大反向电压为 (U 为变压器副边电压有效值) ； 2 B. 电阻性负载，控制角α越大，功率因数 越高； C. 大电感负载，且电感无穷大，此时移相范围为90 度； D. 如果把斜对角的两只晶闸管换成两个整流二极管，则容易出现失控现象。 3. (2’) 以下关于带平衡电抗器的双反星形整流电路叙述正确的是 ( ) 。 A. 变压器不存在直流磁化问题； B. 适用于高压小电流应用场合； C. 如将平衡电抗器短路，则整流电压值将会上升； D. 整流电压波形脉动频率为六倍工频。 第2 页（共9 页） 4. (2’) 在三相半波逆变电路中，叙述正确的是 ( ) 。 A. 若要工作于逆变状态，必须同时触发晶闸管T , T 和T ； a b c B. 若在输出端接续流二极管，则不可能实现有源逆变； C. 为避免因延迟、换相重叠等原因引起的逆变失败，逆变角应留有余量； D. 换相重叠使输出电压略有降低。 5. (2’) 下列关于MOSFET 和IGBT 叙述正确的是 ( ) 。 A. IGBT 存在电流拖尾，因此关断损耗大； B. MOSFET 作为开关应用时，导通状态下工作在饱和区； C. 由于空穴的迁移率比电子迁移率低，大功率MOSFET 一般不采用P 沟道； D. IGBT 不存在密勒效应。 6. (2’) 以下关于Boost 直流变换器叙述正确的是 ( ) 。 A. 电感的作用是滤波； B. 如需保持输出电压稳定，一般采用脉宽控制方式； C. 电感电流断续，当负载电流减小时，为维持U/ U 不变，需增大占空比； i o D. 升压二极管的电流平均值即为负载电流。 7. (4’) 在下列隔离型直流变换器中，变压器工作在单向磁化状态的是( ) ；变压器工作 在双向磁化状态的是( )。晶体管电压应力为输入电压的是( )；无需增加其它辅 助电路，变压器磁通即可实现自动复位的是( ) 。 A. 单端正激变换器； B. 推挽变换器； C. 反激变换器； D. 半桥变换