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. 模拟集成电路课程设计 CMOS 两级运放设计一、摘要本课程设计要求完成一个两级运放的设计，采用设计工艺为 CMOS 的 0.35um 工艺技术，该工艺下器件可以等效为长沟道器件，在分析计算时可采用一级模型进行计算。本次设计主要了对

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