半导体工艺及器件仿真工具Sentaurus-TCAD.ppt

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第1章 可制造性设计工具 Sentaurus TCAD ;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;(3) 工艺步骤说明语句 deposit: 用于淀积一个新的层次。 diffuse: 用于高温扩散和高温氧化。 etch: 用于刻蚀。 implant: 实现离子注入。 mask: 用于定义掩膜版。 photo: 淀积光刻胶。 strip: 去除表面的介质层。 stress: 用于计算应力。;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;8. 清除之前的仿真数据文件 当所有实验参数都已定义完后,清除之前的仿真数据文 件。选择菜单栏中的Project Clean Up,并点击需要清除 的数据文件。 ;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117;*/117

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