CMOS反相器的版图设计.docxVIP

实验一：CMOS反相器的版图设计 一、 实验目的 1、 创建CMOS反相器的电路原理图(Schematic)电气符号(symbol)以及版 图(layout); 2、 利用pdk090工艺库实例化MOS管； 3、 运行设计规则验证(Design Rule CheckQRC确保版图没有设计规则错误。 二、 实验要求 1、 打印出完整的CMOS反相器的电路原理图以及版图； 2、 打印CMOS反相器的DRC报告。 三、 实验工具 Virtuoso 四、实验容 1、 创建CMOS反相器的电路原理图; 2、 创建CMOS反相器的电气符号； 3、 创建CMOS反相器的版图； 4、 对版图进行DRC验证。 1、创建CMOS反相器的电路原理图及电气符号图 首先创建自己的工作目录并将/home/iccad/cds.lib复制到自己的工作目录下 （我的工作目录为/home/iccad/iclab），在工作目录打开终端并打开 virtuoso（命令 为 icfb ）. 在打开的icfb -og中选择tools-Library Manager,再创建自己的库，在当前 的对话框上选择File-New-Library,创建自己的库并为自己的库命名（我的命名 为lab1），点击OK后在弹出的对话框中选择 Attach to an exiting techfile并选择 gpdk090_v4.6的库，此时Library manager的窗口应如图1所示： 图1创建好的自己的库以及 inv 创建好自己的库之后，就可以开始绘制电路原理图，在 Library manager窗 口中选中lab1点击File-New-Cell view,将这个视图命名为inv（CMOS反相器）。 需要注意的是Library Name 一定是自己的库，View Name是schematic具体如图 2所示： 图2 inv电路原理图的创建窗口 点击OK后弹出schematic editing的对话框，就可以开始绘制反相器的电路 原理图（schematic view）。其中 nmos（宽为 120nm,长为 100nm.）与 pmos（宽为 240nm, 长为100nm.）从gpdk090_v4.6这个库中添加，vdd与gnd在analogLib这个库中 添加，将各个原件用wire连接起来，连接好的反相器电路原理图如图 3所示： 图3 inv的电路原理图 对电路原理图检查并保存（左边菜单栏的第一个，check and save ,接下来 创建CMOS反相器的电气符号图（创建电气符号图是为了之后在其他的门电路中 更方便的绘制电路原理图）。在菜单栏中选择 design-Create cellview-From cellview，在symbol editing中编辑反相器的电气符号图， 创建好的symbol如图4 所示： 图4 inv的电气符号图 2、创建CMOS反相器的版图 接下来可以创建并绘制 CMOS反相器的版图，在Library Manager中选择 File-new-cell view，将 view name改为 layout,tool 改为 virtuoso，具体如图 5 所示: Create New File - □ x OK Cancel Defaults OK Cancel Defaults Virtuoso Jbrar/ path file /howie/iccad/iclaib/cd.3. LiW 图5 inv版图的创建窗口 点击OK，会弹出两个对话框，一个 LSW和一个layout editing在弹出来的 layout editing中进行版图的绘制，利用快捷键‘‘在gpdk090_v4.6选择nmos和 pmos并将pmos摆放至nmos的上方，为方便确认各个金属或者 mos管的距离或 者长度，可以使用尺子作为辅助，使用快捷键画一个尺子，使得nmos与pmos 的源漏之间距离为0.6nm,如图6所示： 图6 mos管源漏之间的距离图 然后继续用尺子在nmos与pmos的正中间分别往上下延伸1.5nm，该点即 为电源轨道和地轨道的中心点，轨道的宽为 0.6nm,长为1.8nm,在LSW窗口中选 择metal1作为电源轨道，返回layout editing窗口，使用快捷键；然后设置金属 的宽度，将其设置为0.6nm,接着在layout editing窗口中将轨道绘制出来，nmos 与pmos之间用poly金属层连接起来，pmos的源级用metal1金属与上层的电源 轨道连接起来，nmos的源级用metal1金属与下层的电源轨道连接起来，并在vdd 电源轨道上加一个M1_NWELL,在gnd轨道上加一个M1_PSUB,放置好选中并点击快捷钱；将通孔个数改为3个如图7所