半导体行业-Cree：第三代半导体的明珠.pdfVIP

股票报告网 证券研究报告 （优于大市，维持） Cree：第三代半导体的明珠 周旭辉SAC编号：S0850518090001 2020年11月28 日 UDAwMDE3MDY3NTIwMjAxMTI5MTAyNTEw 股票报告网 概要 1. Cree简介：剥离LED，聚焦SiC 2. SiC：第三代半导体材料，特斯拉开始应用 3. 竞争格局：壁垒极高，一家独大 4. 成长空间：电动车与5G驱动，业绩将现拐点 5. 业绩预期：2024财年相比2020财年收入增长超 200% 6. 风险提示 2 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 UDAwMDE3MDY3NTIwMjAxMTI5MTAyNTEw 股票报告网 Cree简介：聚焦SiC，剥离LED 根据百度百科资料，Cree成立于1987年，为全球LED、照明、化合物半导体材料、 功率器件和射频于一体的行业领先者。 根据搜狐网，2019年3月，Cree 出售照明业务；2020年10月，Cree 出售LED业 务。目前Cree仅聚焦Wolfspeed ，是其功率与射频部门，生产碳化硅芯片。 图1：Cree收入构成：剥离照明、LED，聚焦碳化硅 160,000 140,000 120,000 100,000 80,000 60,000 40,000 20,000 0 2017年报 2018年报 2019年报 2020年报 Wolfspeed LED 照明 资料来源：wind ，海通证券研究所 3 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 UDAwMDE3MDY3NTIwMjAxMTI5MTAyNTEw 股票报告网 碳化硅简介：第三代半导体 碳化硅是第三代半导体材料，在禁带宽度、击穿电场强度、饱和电子漂移速率、 热导率以及抗辐射等关键参数方面具有显著优势，满足了对高功率、高电压、高 频率的需求。 ①耐高压。碳化硅的击穿电场强度是硅的10余倍；②耐高温。更高的热导率，散 热更容易，极限工作温度更高。使终端可以更加轻量和小型化。③低能量损耗。 2倍于硅的饱和电子漂移速率，极低的导通电阻，导通损耗低；3倍于硅的禁带宽 度，泄漏电流大幅减少，从而降低功率损耗；在关断过程中不存在电流拖尾现象， 开关损耗低，大幅提高实际应用的开关频率。 图2：三代半导体衬底材料的指标参数 图3：同规格碳化硅性能远超硅基 相同规格的碳化硅基MOSFE