模拟电子技术基础_知识点总结39662.pdf

第一章 半导体二极管 1.本征半导体 单质半导体材料是具有 4 价共价键晶体结构的硅 Si 和锗 Ge。 导电能力介于导体和绝缘体之间。 特性：光敏、热敏和掺杂特性。 本征半导体： 纯净的、 具有完整晶体结构的半导体。 在一定的温度下， 本征半导体内的最重要的物 理现象是本征激发 （又称热激发），产生两种带电性质相反的载流子 （空穴和自由电子对） ，温度越 高，本征激发越强。 空穴是半导体中的一种等效 +q 的载流子。 空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位， 使局部显示 +q 电荷的空位宏观定向运动。 在一定的温度下，自由电子和空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为 复合。当热激发和复合相等时，称为载流子处于动态平衡状态。 2 ．杂质半导体 在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 P 型半导体：在本征半导体中掺入微量的 3 价元素（多子是空穴，少子是电子） 。 N 型半导体：在本征半导体中掺入微量的 5 价元素（多子是电子，少子是空穴） 。 杂质半导体的特性 载流子的浓度：多子浓度决定于杂质浓度，几乎与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数。 体电阻：通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 在半导体中，存在因电场作用产生的载流子漂移电流（与金属导电一致） ，还才能在因载流子 浓度差而产生的扩散电流。 结 在具有完整晶格的 P 型和 N 型半导体的物理界面附近，形成一个特殊的薄层（ PN 结）。 PN 结中存在由 N 区指向 P 区的内建电场，阻止结外两区的多子的扩散，有利于少子的漂移。 PN 结具有单向导电性：正偏导通，反偏截止，是构成半导体器件的核心元件。 正偏 PN 结（ P+，N-）：具有随电压指数增大的电流，硅材料约为，锗材料约为。 反偏 PN 结（ P-，N+ ）：在击穿前，只有很小的反向饱和电流 Is。 PN 结的伏安（曲线）方程： 4. 半导体二极管 普通的二极管内芯片就是一个 PN 结， P 区引出正电极， N 区引出负电极。 单向导电性：正向导通，反向截止。 正向导通压降：硅管 ~ ，锗管 ~ 。 死区电压：硅管，锗管。 分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位的高低 : 若 V 阳 V 阴 (正偏 )，二极管导通 (短路 ); 若 V 阳 V 阴 (反偏 )，二极管截止 (开路 )。 方法 1：图解分析法 该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点 Q。 方法 2 ：等效电路法 直流等效电路法（低频大信号模型） 微变等效电路法（低频小信号模型） 交流动态电阻： 5.稳压二极管 二极管反偏电压增大到一定值时，反向电流突然增大的现象称为反向击穿。 反向击穿的主要原因是有价电子碰撞电离而发生的“雪崩击穿” 。 稳压二极管的特性：常工作时处在 PN 结的反向击穿区。 稳压管的参数：稳定电压、稳定电流、额定功耗、动态电阻、温度系数。 稳压管的应用：限幅电路，稳压电路。 第二章 晶体三极管及基本放大电路 晶体三极管 1.三