掺杂剂容器的制作方法.docxVIP

PAGE PAGE 1 掺杂剂容器的制作方法 1.本有用新型涉及半导体制备领域，详细而言，涉及一种掺杂剂容器。背景技术：2.碳化硅是继第一代半导体si、其次代半导体gaas之后进展起来的重要的第三代半导体材料，它具有宽禁带、高热导率、高击穿场强、高载流子饱、高抗辐射能力及良好的化学稳定性等的优越特性，因其本身具有的特性，第三代半导体技术可以在多种领域广泛应用；近年来第三代半导体材料还快速渗透到照明、电子电力器件、微波射频等领域的各个角落，市场规模迅速提升，在新能源汽车、汽车灯照、通用照明、电动车、5g通讯应用等领域有着广泛的应用市场，将成为将来新能源进展的方向之一。3.半绝缘碳化硅(sic)单晶衬底因为具有禁带宽度大、电阻率及热导率高、击穿场强大等优异的物理性能，成为制备gan基高频微波器件的优选半导体材料。随着5g技术的不断进展，市场端对半绝缘碳化硅单晶衬底的需求数量不断扩大。更重要的是，批量商业化的应用对碳化硅半绝缘单晶衬底的质量要求也提出了更高的要求。相关技术提供的产业化的半绝缘碳化硅单晶制备是在物理气相法(pvt)的基础上，通过引入高浓度的钒杂质作为深能级补偿中央实现半绝缘特性，由此制备的碳化硅单晶称为掺杂半绝缘碳化硅单晶；或者通过在晶体制备过程中不断降低晶体中的浅能级杂质浓度并引入一定数量的本征点缺陷实现其半绝缘特性，由此制备的碳化硅单晶称为高纯半绝缘碳化硅单晶。4.相关技术提供的掺杂方式不简单使掺杂剂达到浓度要求。技术实现要素：5.本有用新型的目的在于提供一种掺杂剂容器，其能够便于使掺杂剂达到浓度要求。6.本有用新型的实施例是这样实现的：7.本有用新型提供一种掺杂剂容器，包括：8.容器本体，容器本体设置实用于盛装掺杂剂的容纳腔；9.衔接组件，衔接组件包括设置于容器本体的第一衔接件和其次衔接件；其中，10.一个掺杂剂容器的第一衔接件能够与另一个掺杂剂容器的其次衔接件可拆卸地衔接。11.在可选的实施方式中，容器本体包括壳体和与壳体活动衔接的盖板，壳体设置有容纳腔和敞口，敞口与容纳腔连通，盖板用于封闭或打开敞口。12.在可选的实施方式中，壳体的外侧壁设置有第一衔接件和其次衔接件两者中的起码一者，盖板设置有第一衔接件和其次衔接件两者中的起码另一者。13.在可选的实施方式中，第一衔接件为凸起，其次衔接件为凹槽；壳体包括依次首尾衔接的第一板、其次板、第三板和第四板、以及同时与第一板的第一端、其次板的第一端、第三板的第一端以及第四板的第一端衔接的第五板，第一板的其次端、其次板的其次端、第三板的其次端以及第四板的其次端共同形成敞口，且第一板、其次板、第三板、第四板和第五板共同围成容纳腔；14.第一板、其次板、第三板、第四板和第五板五者中的起码一者设置有凹槽，五者中的起码另一者设置有凸起；盖板设置有凹槽和凸起两者中的起码一者。15.在可选的实施方式中，盖板设置有凸起，第一板和其次板均设置有凸起，第三板、第四板和第五板均设置有凹槽。16.在可选的实施方式中，凸起和凹槽的截面均呈圆形。17.在可选的实施方式中，盖板与壳体滑动衔接。18.在可选的实施方式中，壳体和盖板两者中的一者设置有滑槽，两者中的另一者设置有滑块，滑块与滑槽可拆卸地滑动协作。19.在可选的实施方式中，盖板与壳体转动衔接。20.在可选的实施方式中，容纳腔呈立方体状。21.本有用新型实施例的掺杂剂容器的有益效果包括：本有用新型实施例的掺杂剂容器包括容器本体和衔接组件，容器本体设置实用于盛装掺杂剂的容纳腔；衔接组件包括设置于容器本体的第一衔接件和其次衔接件，其中，一个掺杂剂容器的第一衔接件能够与另一个掺杂剂容器的其次衔接件可拆卸地衔接。这样一来，可以利用容器本体的容纳腔盛装通过掺杂方式制备半绝缘碳化硅单晶的掺杂剂，且可以将起码两个掺杂剂容器通过能够互相协作的第一衔接件和其次衔接件拼接组装起来，进而可以按照需求通过起码两个掺杂剂容器拼接以成各种不同的外形，使掺杂剂随容器本体放置于所需位置，有利于使掺杂剂的浓度满足要求。附图解释22.为了更清晰地解释本有用新型实施例的技术计划，下面将对实施例中所需要用法的附图作容易地介绍，应该理解，以下附图仅示出了本有用新型的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本事域一般技术人员来讲，在不付出制造性劳动的前提下，还可以按照这些附图获得其他相关的附图。23.图1为本有用新型实施例中掺杂剂容器的结构暗示图一；24.图2为本有用新型实施例中掺杂剂容器的结构暗示图二；25.图3为本有用新型实施例中四个掺杂剂容器拼接暗示图；26.图4为本有用新型实施例中七个掺杂剂容器拼接暗示图；27.图5为本有用新型实施例中十个掺杂剂容器拼接暗示图。28.图标：01