概念深入教案.pptx

1;12.1 非理想效应 亚阈值电流: 比较;12.1 非理想效应 亚阈值电流: 电压特性;12.1 非理想效应 沟道长度调制效应:机理;12.1 非理想效应 沟道长度调制效应:模型1;12.1 非理想效应 沟道长度调制效应:模型2;12.1 非理想效应 沟道长度调制效应:影响因素;12.1 非理想效应 迁移率变化:纵向电场的影响(1);12.1 非理想效应 迁移率变化:纵向电场的影响(2);12.1 非理想效应 迁移率变化:漂移速度与电场的关系;12.1 非理想效应 迁移率变化:Si的情形;12.1 非理想效应 迁移率变化:GaAs、InP的情形;12.1 非理想效应 迁移率变化:速度饱和效应;12.1 非理想效应 弹道输运;12.2 按比例缩小 为什么要缩小MOSFET尺寸?;;12.2 按比例缩小 完全按比例缩小:规则;12.2 按比例缩小 完全按比例缩小:结果;12.2 按比例缩小 完全按比例缩小:小结;12.3 阈值电压修正 VT与L、W的相关性;;12.3 阈值电压修正 VT随L的变化:ΔL的计算;;12.3 阈值电压修正 VT随L的变化:关系曲线;12.3 阈值电压修正 VT随W的变化:表面电荷 窄沟道效应;若沟道宽度W窄到与表面空间电荷区宽度xdT相当时，阈值电压VT与沟道宽度W有关，此时VT随W的减少而增加;12.3 阈值电压修正 VT随W的变化:关系曲线;12.3 阈值电压修正 离子注入调整VT:原理;12.3 阈值电压修正 离子注入调整VT:注入杂质分布;12.4 击穿特性 MOSFET主要击穿机构;12.4 击穿特性 栅-源介质击穿;12.4 击穿特性 漏pn结击穿;12.4 击穿特性 沟道雪崩倍增效应;12.4 击穿特性 寄生晶体管效应;12.4 击穿特性 源漏穿通效应;短沟道器件穿通特性曲线;12.4 击穿特性 轻掺杂漏(LDD)晶体管;DMOS(双扩散MOSFET) 埋沟MOSFET SOI结构(绝缘体上硅) 将器件制作在绝缘膜或绝缘衬底上形成的单晶硅上。 ;12.5 可靠性效应 MOSFET的辐射效应;12.5 可靠性效应 辐射产生氧化层电荷:特性1;12.5 可靠性效应 辐射产生氧化层电荷:特性2;12.5 可靠性效应 辐射产生界面态:特性1;12.5 可靠性效应 辐射产生界面态:特性2;12.5 可靠性效应 热电子效应;12.6 小结 1;12.6 小结 2;END;48