半导体标记及其形成方法与流程.docx

PAGE PAGE 1 半导体标记及其形成方法与流程 1.本发明涉及半导体制作领域，尤其涉及一种半导体标志及其形成办法。背景技术：2.在现代集成电路创造过程中，需要将不同的掩膜图形重叠在圆片上，光刻工序是半导体生产中形成掩膜图形的过程，为保证产品的性能，每一层的掩膜图形都需要精确对准。为保证掩膜图形的对准效果，需要提高光刻机曝光时晶圆上的前层对准标志以及晶圆曝光之后的前层套刻标志的测量精度。3.随着集成电路(ic)工艺的快速进展，关键尺寸(cd)的微缩，芯片的制作工艺越来越复杂，例如用法的牺牲掩膜层越来越厚，牺牲掩膜层的叠层数目越来越多，这些因素使得前层标志的测量图像变的不清楚，导致无法获得前层标志的精确?????位置和边界，进而影响测量精度。技术实现要素：4.本发明所要解决的技术问题为提高光刻机曝光时晶圆上的前层对准标志以及曝光之后的前层套刻标志的测量精度。5.本发明提供了一种半导体标志，其特征在于，包括：6.前层标志，所述前层标志包括第一图形和其次图形，所述其次图形位于相邻的所述第一图形之间，所述第一图形与所述其次图形的材料性质不同。7.可选的，所述第一图形包括若干第一子图形和若干其次子图形；所述第一子图形和所述其次子图形的材料性质不同。8.可选的，所述第一子图形、所述其次子图形和所述其次图形的材料性质均不同。9.可选的，所述材料性质包括材料的折射率和/或材料的消光系数。10.可选的，所述第一图形的材料的反射率与所述其次图形的材料的反射率之比大于1.2，或者所述其次图形的材料的反射率与所述第一图形的材料的反射率之比大于1.2。11.可选的，所述第一子图形和所述其次子图形为单一结构图形，所述其次图形为复合结构图形。12.可选的，所述第一子图形的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅、碳、掺硼的氧化硅、掺磷的氧化硅中的任一种，所述其次子图形的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅、碳、掺硼的氧化硅、掺磷的氧化硅中的任一种。13.可选的，所述复合结构图形包括金属氮化物层、金属氧化物层、金属硅化物层中任一种和金属层的组合层。14.可选的，所述金属的厚度起码为所述第一子图形或所述其次子图形高度的40％-90％。15.可选的，所述第一图形的尺寸大于所述其次图形的尺寸，所述若干第一子图形等间距分布，并且所述第一子图形的尺寸相同，所述若干其次子图形等间距分布，并且所述第二子图形的尺寸相同，所述第一子图形的尺寸和所述其次子图形的尺寸均小于所述其次图形的尺寸。16.可选的，所述第一子图形的尺寸为所述其次子图形的尺寸的1/3-3/4。17.可选的，所述前层标志包括光刻机曝光时晶圆上的前层对准标志或晶圆曝光后的前层套刻标志。18.本发明还提供了一种半导体标志的形成办法，包括：19.提供基底；20.在所述基底上形成前层标志，所述前层标志包括第一图形和其次图形，所述其次图形位于相邻的所述第一图形之间，所述第一图形与所述其次图形的材料性质不同。21.可选的，所述第一图形的形成办法包括：在所述基底上形成第一材料层；刻蚀所述第一材料层，形成若干第一凹槽和所述第一凹槽之间的若干凸起，所述凸起形成第一子图形；在所述第一凹槽中填充其次材料层形成其次子图形；所述第一子图形和所述其次子图形构成所述第一图形。22.可选的，所述第一子图形的尺寸为所述其次子图形的尺寸的1/3-3/4。23.可选的，还包括：在形成所述其次子图形之后去除所述凸起；在去除的所述凸起位置填充第三材料层形成第一子图形。24.可选的，所述其次图形的形成办法包括：在所述基底上的第一材料层中形成其次凹槽，所述其次凹槽的尺寸大于所述第一凹槽和所述凸起的尺寸；在所述其次凹槽中填充第四材料层。25.可选的，所述第四材料层包括金属氮化物层、金属氧化物层、金属硅化物层中任一种和金属层的组合层，所述金属层的厚度起码为所述第一子图形或所述其次子图形高度的40％-90％。26.可选的，利用sadp工艺在所述第一材料层中形成所述第一凹槽和所述其次凹槽。27.与现有技术相比，本发明技术计划具有以下优点：28.本发明的半导体标志，包括：前层标志，所述前层标志包括第一图形和其次图形，所述其次图形位于相邻的所述第一图形之间，所述第一图形与所述其次图形的材料性质不同。因为本发明中半导体标志中的前层标志中第一图形和其次图形的材料性质不同，举行测量时，所述第一图形和其次图形对测量光的反射率是不同的，因而提高了测量时获得的第一图形和其次图形图像对照度，使得第一图形和其次图形的位置和边界得以清晰确实认，从而使得前层标志的测量越发精确。附图解释29.图1-2为本发明一实施例半导体标志的结构暗示图；30.图3为本发