8英寸功率半导体制造项目可行性研究报告.docxVIP

精品word word可编辑 . 精品word 2021年8英寸功率半导体制造工程可行性争辩报告 2021年7月 目 录 TOC \o 1-5 \h \z \u 一、工程概况 3 二、工程背景及建设意义 3 1、外延层对于功率器件的技术意义 4 2、屡次外延工艺对于超结MOSFET的技术意义 5 3、自主制造硅外延片对于公司持续经营进展的战略意义 5 三、工程与公司主要业务、核心技术之间的关系 7 四、工程建设的必要性 7 1、超结MOSFET具有宽敞的市场前景 7 2、超结MOSFET核心工艺在于外延层结构 8 3、超结MOSFET的产能和品质需要自建产线来保障 9 五、工程建设的可行性 10 1、工程建设与国家政策鼓舞方向全都 10 2、充分的市场需求为产能消化供给保障 11 3、公司MOSFET技术水平处于国内领先地位 11 4、公司已具备向Fab-Lite 模式转型的技术和工艺储藏 12 5、公司拥有实践阅历丰富的管理团队和技术人才 13 六、工程投资概算 14 七、工程周期和时间进度 14 八、工程环境保护状况 15  一、工程概况 基于超结 MOSFET良好的市场前景，以及公司丰富的技术储藏，公司拟投资建设“8英寸功率半导体制造工程〞。工程年产8英寸硅外延片360万片次，其中工程一期投资11.8亿元，形成年产180万片次8英寸硅外延片；工程二期投资5.97亿元，形成年产180万片次8英寸硅外延片。 本次工程为“8英寸功率半导体制造工程〞一期，将新建生产8英寸一般硅外延片和8英寸超结MOSFET外延片的产能，建成后公司将：〔1〕选购硅衬底片等原材料，自主完成外延层生长制备，实现年产60万片8英寸一般硅外延片，直接向下游晶圆代工厂销售，可用于制造公司的平面型MOSFET、屏蔽栅沟槽MOSFET和沟槽型MOSFET晶圆；〔2〕选购硅衬底片等原材料，自主完成10次外延层生长制备，实现年产12万片8英寸超结MOSFET外延片，然后通过外协完成后道工序〔MOS 结构制造、封装、测试〕制成超结MOSFET封装成品，向下游应用领域的客户进销售。 二、工程背景及建设意义 衬底〔Substrate〕是由半导体单晶材料制造而成的晶圆片，衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件，也可以进行外延工艺加工生产外延片。外延〔Epitaxy〕是在经过切磨抛等精细加工的、具有肯定晶向的单晶衬底上，生长一层具有和衬底相同晶向的、电阻率与厚度不同的、晶格结构完整性好的新单晶的过程，新单晶可以与衬底为同一材料，也可以是不同材料。由于新生单晶层按衬底晶相延长生长，从而被称之为外延层，厚度通常为几微米，而长了外延层的衬底称为外延片。 1、外延层对于功率器件的技术意义 对于功率器件而言，外延是通过化学气相沉积〔气相外延〕的方式在硅衬底抛光面上生长一层或多层掺杂类型、电阻率、厚度和晶格结构都符合特定器件要求的新硅单晶层。由于功率器件常应用在大功率和高电压的环境中，而硅衬底的低电阻率可降低导通电阻，高电阻率的外延层可以提高器件的击穿电压，因此在MOSFET、IGBT 等功率器件的制造过程中，通常在低电阻率的硅衬底上外延生长一层高电阻率的外延层，以此来提升器件的牢靠性，削减器件的能耗。 2、屡次外延工艺对于超结MOSFET的技术意义 在常规功率MOSFET设计中，由于击穿电压与比导通电阻存在“硅极限〞关系，随着下游应用领域对器件耐压的要求不断提高，器件的导通损耗急剧增大、功率密度显著降低。新型超结功率MOSFET解决了这一冲突，它接受新的耐压层结构〔即超结结构〕，打破了“硅极限〞关系，具有极低的导通损耗，已成为高压MOSFET领域的主要研发方向。超结结构的主流工艺有两种——深沟槽刻蚀与回填工艺、屡次外延与注入工艺。 国际领先功率半导体厂商英飞凌、安森美、意法半导体等在超结MOSFET产品上接受屡次外延工艺，因而当前屡次外延占主导地位，屡次外延超结MOSFET占主要的市场份额。在产品性能方面，屡次外延超结MOSFET在EMI特性和EAS 力量上要优于深沟槽超结MOSFET，因此屡次外延超结MOSFET应用在充电器、适配器、TV 板卡等电源领域更简洁做到小型化、低本钱，应用在LED 驱动电源等浪涌等级更高的电源领域也更加适用。综上所述，屡次外延超结MOSFET的产品适用性更好，应用领域更加广泛。 3、自主制造硅外延片对于公司持续经营进展的战略意义 近年来，随着锂电池和新能源的推广使用、5G 通信的快速普及、人们生产生活的不断智能化，工业、家电、汽车等终端应用不断追求更高能源效率，直接带动了功率半导体和集成电路产业的快速进展；特殊是2021年以来，受疫情