厚膜电路工艺.pdfVIP

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薄膜电路 在抛光的陶瓷基片、微晶玻璃基片或者 Si 基片上溅射电阻播磨和导电薄膜,经电镀、 光刻、 形成具有部分无源元件和导体电路的基片, 贴装芯片和各种片状元件, 键合无相连接 成特定功能的电路模块。 电路元件:晶体管、二极管、电阻、电容、电感等以及引线。尺寸小于 1um。 材料:金属半导体、金属氧化物、多金属混合相、合金、绝缘介质等 工艺:真空蒸发、溅射、电镀工艺。 各种材料: 基片: 高频损耗(随温度和工作频率升高而增加) 、介电常数(越大电路尺寸越小,利于集 成,不利于加工) 、表面光洁度(影响电路损耗,薄膜附着力,线条分辨率) 、基片平整度和 翘度 (小于 0.0001in/jn )、化学稳定性 (微晶玻璃避免 Ti/Pt/Au 系统)、热膨胀系数、 热导率、 加工难度。 Al2O3 陶瓷基片、 微晶玻璃 BeO 基片 AlN 基 复 合 介 质 片 基片 75% 95-96 99-99.5% 光敏微晶 粉末毒,适于 太贵 聚 四 氟 乙 % 玻璃微波 高功率电路和 烯 掺 假 陶 低端 有源器件热沉 瓷粉 ε 8.0 9.3 9.7 5.5-6 6.8-7.1 10 介质损 10*10 -4 3*10 -4 1*10 -4 25.8*10 -4 5-2*10 -4 2*10 -3 耗 热导率 12 21 33.5 (37 ) 0.91 250 140-230 W/m.K -6 -6 - 热膨胀 7*10 7~11*10 2.65*10 6 系数 CTE 光洁度 Δ12- Δ13 光洁度 高、易于 加工 主要尺 35*35*0.5 ,40*40*0.4 , 35*35,38* 寸 mm 30*60*0.8 38,40*40, 厚 0.3~0.4 加工: 超声波打孔 激光打光 优点 质量好、壁直、圆滑,可打陶瓷基 位置精准、可编程、效率高,可打异型孔, 片、微晶玻璃,最小 0.5mm 尺寸可为 0.2mm 缺点 定位差、效率低 设备贵。 清洗:去油去腊(甲苯、丙酮、乙醇超声 5min 以内),去金属离子(酸碱煮) ,水洗,乙醇 洗、烘干。 金属层 用于多层金属化工艺,制备电路和元件 (1)电阻膜 TaN 、NiCr 合金及金属陶瓷 TaN (氮化钽) NiCr(80:20) 耐高温

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