二极管的题目.pdf

第三章 二极管 一、判断题 1、因为 N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 （ ） 2、 PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。 （ ） 3、二极管的四类理想模型分别是理想二极管模型、恒压模型、折线模型、小信号模型（ ）。 4、掺入 3 价杂质元素形成的半导体叫 N 型半导体。（ ） 5、掺入 5 价杂质元素形成的半导体叫 N 型半导体。（ ） 6、 N 型半导体多子为电子，而 P 型半导体的少子为空穴（ ） 7、 N 型半导体多子为电子，而 P 型半导体的少子也是电子。（ ） 8、 PN 结外加反向电压指 N 极电位比 P 极电位高。 （ ） 9、 PN 结外加反向电压耗尽层变厚，扩散电流增加。 （ ） 10、 PN 结外加反向电压耗尽层变厚，耗尽层变厚，扩散电流增加。 （ ） 11、Si 二极管的正向导通电压比较 Ge 二极管的正向导通电压高。 （ ） 12、二极管的反向击穿有两种，一种是齐纳击穿，另一种雪崩击穿，齐纳击穿时所需反压一般比较雪崩击 穿时高。 （ ） 13、二极管的齐纳击穿是可逆的。 （ ） 14、二极管的热击穿是可逆的，而击电穿是不可逆。 （ ） 15、发光二极管正常工作时加正向偏置电压，而稳压二极管正常工作时一般加反向偏置电压。 （ ） 16、 PN 结外加反向电压势垒区变窄。 （ ） 17、二极管在工作电流大于最大整流电流 IF 时会损坏。 （ ） 18、二极管在工作频率大于最高工作频率 f M 时会损坏。 （ ） 19、二极管在反向电压超过最高反向工作电压 URM 时会损坏。 （ ） 20、在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为 P 型半导体。 （ ） 21、稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。 （ ） 二、填空题 1、当 PN 结外加反向电压时，耗尽层厚度将变＿＿＿＿，漂移电流的大小将＿＿＿。 2、纯净的半导体叫＿＿＿＿半导体。 掺入 3 价杂质元素形成的半导体叫＿＿＿＿型 半导体， 它主要靠 ＿＿＿＿导电。 3、掺杂半导体叫＿＿＿＿半导体。 掺入 5 价杂质元素形成的半导体叫＿＿＿＿型 半导体， 它主要靠＿ ＿＿＿导电。 4、 PN 结正向偏置是指 P 区接电源的＿＿极、 N 区接电源的＿＿极。这时多子的作＿＿＿＿运动较强， PN 结厚度变＿＿＿＿，结电阻较＿＿＿＿。 5、当温度升高时，由于二极管内部少数载流子浓度＿＿＿＿，因而少子漂移而形成的反向电流＿＿＿＿， 6、二极管反向伏安特性曲线＿＿＿＿移。 7、半导体稳压管的稳压功能是利用 PN 结的＿＿＿＿特性来实现的。 8、二极管 P 区接电位＿＿端， N 区接电位＿＿端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏置，二极管 截止，所以二极管具有＿＿＿＿性。 9、在本征半导体中掺入＿＿价元素得 N 型半导体，掺入＿＿价元素则得 P 型半导体。 10、 PN 结在＿＿＿＿时导通，＿＿＿＿时截止，这种特性称为＿＿＿＿。 11、光电二极管能将＿＿＿信号转换为＿＿＿信号，它工作时需加＿＿＿偏置电压。 12、发光二极管能将＿＿＿信号转换为＿＿＿信号，它工作时需加＿＿＿偏置电压。 13、二极管按 PN 结面积大小的不同分为点接触型和面接触型，＿＿＿＿型二极管适用于高频、小电流的 场合，＿＿＿＿型二极管适用于低频、大电流的场合。 14、二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况，其中＿＿＿＿是可逆的，而