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第六章金属—氧化物—半导体场
效应晶体管
6.1 理想MOS结构的表面空间电荷区
6.1 理想MOS结构的表面空间电荷区
教学要求
1. 了解理想MOS结构基本假设及其意义。
2.根据电磁场边界条件导出空间电荷与电场的关系
Q =−Q = E =k E (6-1-1)
M S 0 0 S S
3.掌握载流子积累、耗尽和反型和强反型的概念。
4.正确画出流子积累、耗尽和反型和强反型四种情况的能带图。
5.导出反型和强反型条件
6.1 理
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