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1;半导体材料及导电特性;; 当Si(或Ge)原子组成单晶体后,各原子之间有序、整齐的排列在一起,原子之间靠得很近,价电子不仅受本原子的作用,还要受相邻原子的作用。 ;Eg;(三)本征载流子(intrinsic carrier)浓度; 杂质半导体(donor and acceptor impurities) ;;;(二)P型半导体(P type semiconductor);(二)P型半导体(P type semiconductor);(三)杂质半导体中的载流子浓度 ;(三)杂质半导体中的载流子浓度 ;1. 1 . 3 漂移电流与扩散电流;(二)扩散 电 流(diffusion current);§1.2 PN结;N;1. PN结的形成;2. PN??的特点 ;结的单向导电特性;;;1.3 晶体二极管及应用;1.3 晶体二极管及应用;;; 二极管击穿后端电压几乎不变,具有稳压特性。;UD;1.3.3 二极管的等效模型 ;[例1.1] Si二极管与恒压源E和限流电阻R构成的直流电路如图所示。求二极管工作点UD和ID的值。 ;电路仿真;二极管应用电路;二极管应用电路;;Ui;;1.3.6 PN结电容;;精品课件!;精品课件!;二极管主要参数
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