模拟电子技术 晶体管.pptx

1; 半导体器件是现代电子电路的重要组成部分。本章简要地介绍半导体的基础知识，讨论半导体的核心环节—PN结，阐述了半导体二极管、双极性晶体管（BJT）和场效应管（FET）的工作原理、特性曲线和主要参数以及二极管基本电路和分析方法。对晶闸管和集成电路中的元件也进行了简要介绍。;;3.本征半导体 本征半导体：化学成分纯净、结构完整的半导体。它在物理结构上呈单晶体形态。; 电子空穴对：由本征激发（热激发）而产生的自由电子和空穴总是成对出现的，称为电子空穴对。所??，在本征半导体中： ni=pi （ni－自由电子的浓度；pi－空穴的浓度）。 ;;4.杂质半导体 杂质半导体：在本征半导体中参入微量的杂质形成的半导体。根据参杂元素的性质，杂质半导体分为P型（空穴型）半导体和N型（电子型）半导体。由于参杂的影响，会使半导体的导电性能发生显著的改变。;; ：在本征半导体中参入微量五价元素的杂质形成的半导体，其共价键结构如图1.1.5所示。常用的三价元素的杂质有磷、砷和锑等。;;小 结 本讲主要介绍了下列半导体的基本概念： 本征半导体 本征激发、空穴、载流子 杂质半导体 P型半导体和N型半导体 受主杂质、施主杂质、多子、少子;;PN结加正向电压 PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流， PN结导通。其示意图如 图所示。;;2. PN结的正向特性;3. PN结的反向特性;4. PN结的反向击穿特性;;四. PN结的电容效应;;小 结 本讲主要介绍了以下基本内容： PN结形成：扩散、复合、空间电荷区（耗尽层、势垒区、阻挡层、内建电场）、动态平衡 PN结的单向导电性：正偏导通、反偏截止 PN结的特性曲线： 正向特性：死区电压、导通电压 反向特性：反向饱和电流、温度影响大 击穿特性：电击穿（雪崩击穿、齐纳击穿）、热击穿 PN结的电容效应：势垒电容、扩散电容;1.2 半导体二极管;;;;;;;;;;;;;;;;;1.3 双极性晶体管;1.3 双极性晶体管;1.3 双极性晶体管;1.3 双极性晶体管;1.3 双极性晶体管;1.3 双极性晶体管;1.3 双极性晶体管;1.3 双极性晶体管;1.3 双极性晶体管; (ii) 集电极发射极间的穿透电流ICEO ICEO=（1+ ）ICBO ;1.3 双极性晶体管;1.3 双极性晶体管;1.3 双极性晶体管;1.3 双极性晶体管;1.3 双极性晶体管;1.3 双极性晶体管;1.3 双极性晶体管;1.3 双极性晶体管;1.3 双极性晶体管;1.3 双极性晶体管;1.3 双极性晶体管;;;;;;;;; 当vGS进一步增加时，一方面耗尽层增宽，另一方面衬底的自由电子被吸引到耗尽层与绝缘层之间，形成一个N型薄层，称之为反型层，构成了漏-源之间的导电沟道（也称感生沟道），如图所示。;图1.4.7;;;;;③ 饱和漏极电流IDSS：对耗尽型MOS管或JFET ，VGS=0时对应的漏极电流。;;;;;;;;;