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IR2110 驱动 IGBT 的电路图
如图是 IR2110 驱动 IGBT 的电路。如图（ b ）为 IR21l0 内部等效电路；如图（ a ）电路采用自举驱动方式， VD1 为自举二极管， C1 为自举电容。接通电源， VT2 导通时
Cy 通过 VDt 进行充电。这种电路适用于驱动较小容量的 IGBT 。对于 IR2110 ，当供电电压较低时具有使驱动器截止的保护功能。自举驱动方式支配着 VT2 的导通电压，因此电
压较低的保护功能是其必要条件。若驱动电压较低时驱动 IGBT ，则 IGBT 就会发生热损坏。 VD1 选用高速而耐压大于 600V 的 ERA38-06 、 ERB38-06 等二极管。 C1 容量可
根据下式进行计算
式中， QG 为 VT1 的电荷量， Ucc 为低压端电压， UCES （ON ）为 VT2 的导通电压， U L 为
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