氘在钨中的滞留和晶格损伤.ppt

氘在钨中的滞留和晶格损伤;1.introduction;2.Experimental;2.2 离子束分析 所用材料为纯度99.99wt%厚度1.5mm厚薄片, 样品表面与111晶面平行。 在300k温度下, 用30kev （10kevD离子）注入, 以后用1MeV 离子轰击产生α离子和质子, 然后得到氘深度分布。 以后用RBS结合离子束沟道技术研究晶格缺点。;3.Results; 氘原子迁移远超出了离子注入区域。 当流量超出一定值时候, 就形成了氘分子, 而且这些氘分子滞留在注入区域。伴随流量增加, 氘分子浓度比氘原子浓度增加要快得多。;N是缺点浓度, σ是缺点去沟道因子（对于不一样类型缺点, σ不一样） Nσ是单位深度去沟道概率。 依据 = 推测出氘泡去沟道因子与能量无关, 位错去沟道因子与 相关。而且位错浓度随深度增加而升高。;4.Discussion and conclusions;谢谢