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10 三相交交变频电路理解。 (1)正弦电流波比正弦电压波交交变频电路好在那?(电流过零为变流器换组充要条件，电机转矩由电流波形和幅值确定，易由控制电流来控制电机。) (2)交交变频的优缺点？(无中间直流环节，易实现高效大功率；但输出最高频率只有1/2~1/3电源频率，只能降频，变频范围小，开关元件多，功率因数低。) 1 SPWM波的依据？(面积等效原理) 2 理解单极性和双极性PWM控制方式。 3 载波比、同步调制、异步调制及混合调制？(载波与调制波频率之比、同步调制载波比不变、异步调制的载波比随调制波频率改变、混合调制就是分段同步调制，即将调制波频率分段，每个频段为同步调制。) 4 调制深度M？(调制波与载波幅值之比，M=urm/ucm。) 5 生成SPWM波的规则采样法比自然采样法优越在何处？(前者简单易行) 6 用梯形波替代正弦波作为调制波的目的？(提高直流电压利用率。) 7 PWM逆变电路多重化的目的？(提高等效开关频率，从而允许减小实际开关频率来降低开关损耗，或减小电抗器电感量，还可以减小与载波有关的谐波分量。) 1 单结晶体管工作原理的理解。 2 理解光耦类型及接法。 6 GTR的驱动电路理解 5 GTO驱动脉冲的要求?(正、负脉冲前沿均要陡，后沿均要缓) 7 理解IGBT驱动电路：厚膜集成电路EXB840/841。为什么用双绞线且尽量短？RG的作用是什么？ (IGBT、MOSFET为高阻输入，用双绞线且尽可能短能减小耦合干扰，防止误开通；设定IGBT或MOSFET的开通和关断速度) 桥臂直通、ic(近似∝uce)过大、T℃过高 Uce↑ 缓降栅压 IGBT允许短路时间10μs 8 理解电力电子器件的缓冲与保护电路 总损耗P = 导通损耗Pon + 阻断损耗Poff + 开关损耗 Ps （ Ps=40~80%P) 安全 ON ：限制di/dt —开通/串联缓冲； OFF：限制du/dt —关断/并联缓冲； 降低（转移）开关损耗，改变开关轨迹。 与开关并联等效电容引起 与开关串联等效电感引起 GTR的缓冲电路 关断缓冲：VDs、 Cs 开通缓冲：Ls IGBT的缓冲电路 检测基－射极电压的过流保护电路 检测集－射极电压的过流保护电路 外因过压、内因过压？ 过压保护措施：稳压管缓冲电路、压敏电阻缓冲电路、RC吸收电路。 9 电力电子器件串、并联的静态均压、动态均压、动态均流措施？ 1 结合仿真理解电力二极管的开通、关断过程 图1- 1(a)关断过程 U FP u i i F u F t fr t 0 接近静态压降 图1-1(b)开通过程 软恢复(tf/ td大)可减小反峰电压和结电容与线路电感振荡强度即EMI。 2 快恢复二极管、软恢复二极管及肖特基的特点？ 3 什么是二极管正向平均电流？ 4 画晶闸管的双晶体管模型及其工作原理，据此导出阳 极电流表达式。 5 矛盾吗?如何理解? 6 画晶闸管的伏安特性。 7 维持电流IH、擎住电流IL、浪涌电流ITSM？ 8 (1) 如何选取晶闸管裕量范围？(2)波形系数分别为1.11、2.22，有效值均为157A，请按2倍容量选择晶闸管额定通态平均电流。(电流有效值固定为额定通态平均值1.57被。) (3)为什么按电流有效值而非平均值相等选取晶闸管? 9 电压临界上升率du/dt?(结电容产生的位移电流触发晶闸管) 电流临界上升率di/dt?(门极附近区域电流密度过大） 10 理解晶闸管的开通和关断过程波形。 11 GTO与普通晶闸管的区别？（α2较大、 α1+ α2 更接近1、多元并联） 12 最大可关断阳极电流IATO、电流关断增益βoff? 13 GTR—共集电极晶体管并联，β大小、ICM定义？（10、1/3~1/2） 14 理解GTR的动态特性及-iB，-iE。什么是存储时间？ 15 GTR的二次击穿？（即一次击穿→局部过热→负阻。）PSB? 16 GTR的安全工作区（SOA）？（ICM、UCEM、PCM、PSB） 17 电力MOSFET特点？（开关速度最高(=1MHz)、但耐压较低、电流较小） 18 IGBT等效电路、特点？（MOSFET控制GTR，故开关速度快、电流大） 1 晶闸管的选择原则？ 2 有效值的物理意义是什么？ 3 自然续流即失控现象。 4 二极管续流的目的是什么？（避免电感导致ud瞬时为负及失控） 5 半波整流的缺点？ （电流脉动大、变压器有直流分量且变压器利用率低） 6 为什么自然换流点是晶闸管能被触发导通的最早时刻？ 7 如何确定可控整流电路中α的移相范围？（自然换相点至ud=0） 8 三相桥式全控整流电路中晶闸管的编号方式及其目的是什么？“加触