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2021-12-02 发布于北京
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场效应管概述:;学习方法：学习本章内容时，应特别注意使用比较和归纳的方法： .与三极管及其放大电路进行比较（两种管子的结构、工作原理、外特性、主要参数、小信号模型等的比较；两种器件组成的放大电路的直流偏置电路及静态、动态分析方法的比较；共射与共源、共集与共漏等放大电路性能的比较）。重点掌握: N沟道增强型MOSFET (集成电路中广泛运用). ;双极型和场效应型三极管的比较;双极型和场效应型三极管的比较(续);场效应管(FET——Field Effect Transistor);第四章　场效应管及基本放大电路;4.1.1 N沟道增强型MOS场效应管结构;;增强型MOS管特性曲线;三、N沟道增强型MOS场效应管特性曲线;4.1.4 电流—电压关系;[分析指南];4.2 MOSFET的偏置电路(重点);;;;求静态工作点Q(放大区);[分析指南];[例1]：计算N沟道增强型MOSFET共源极电路的静态工作点Q。;解：;;; 直流电路如图所示。设MOSFET的参数为 VTN=2V，Kn=0.16mA/V2。试确定R1和R2使流过它们的电流为0.1ID。要求ID=0.5mA.(采用标准电阻);解：假设场效应管工作于放大区，则有;验证场效应管是否处于放大区;4.2.2 集成MOSFET电路的直流偏置;解：假设场效应管处于放大区，则有; 将N沟道增强型MOSFET像图示那样连接的电路应用较为广泛。图中， ;[例5]目的：计算含增强型负载电路的工作点。