2020年砷化镓行业研究报告.pdf

砷化镓行业研究报告 2020年 Copyright© 内部资料，仅供会员学习使用 目录 1 砷化镓概况 2 砷化镓产业分析 目录 3 砷化镓市场分析 4 砷化镓企业分析 5 行业发展趋势 Copyright© 内部资料，仅供会员学习使用 砷化镓概况——定义及性能 砷化镓 （GaAs）属Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 ，闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m， 熔点 1237℃ ，是目前研究的最为成熟、生产量最大的化合物半导体材料。相比传统半导 体材料硅 ，其电子迁移率高 （为Si的6~7倍 ）、禁带宽度较大 （为1.4eV,Si为1.12eV）且 为直接带隙 ，易于制作半绝缘材料、抗辐射性佳 ，是目前最重要的衬底材料之一。 砷化镓主要特性 砷化镓和硅半导体材料性能对比 性质 单位 Si GaAs 禁带宽 度大 禁带宽度 eV 1.12 1.42 热导率 电子迁 2 电子迁移率 cm /Vs 1350 8500 低 GaAs 移率高 7 性能 饱和速率 10 cm/s 1 2.1 耐高温 抗辐射 击穿电压 MV/cm 0.3 0.4 性能好 性好 击穿电 热导率 W/cmK 1.5 0.5 压高 介电常数 / 11.9 13.1 Copyright© 资料来源：广发证券研报，赛瑞研究 内部资料，仅供会员学习使用 砷化镓概况——分类及应用 根据材料电阻的不同，GaAs 材料可分为半绝缘 （SI）GaAs 和半导体 （SC）GaAs。 ➢ 半绝缘 GaAs ，其衬底与形成在顶部的外延晶体管器件绝缘 ， 电阻比半导体型高 10 个数 量级左右 ，主要用于微电子领域 ，制作高速高频器件 ，如功率放大器 PA,射频开关器 (RF Switch)及低杂讯放大器(Low Noise Amplifier)等。 ➢ 半导体型 GaAs 通过向 GaAs 中添加熔融导电掺杂剂来产生半导电的晶锭，主要用于光 电子领域，用于制作光电器件 ，例如 LED、激光器和光伏器件。