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功率半导体电子器件（IGBT ）行业研究报告
2020年
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目录
1 IGBT概况
2 IGBT产业分析
目录 3 IGBT市场分析
4 IGBT企业分析
5 IGBT行业发展趋势
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IGBT概况——简介
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) ，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT
(双极型三极管) 和 MOS （绝缘栅型场效应管 ）组成的复合全控型电压驱动式
功率半导体器件；
IGBT简单讲，是一个非通即断的开关 ，没有放大电压的作用，导通时可看做导
线，断开时当做开路。
IGBT特点：
双极型器件，少数载流子参与导电，空穴电流占总电流的20-25% ；
在大电流下可获得很低的通态压降和很高的功率处理能力；
同等耐压和功率处理能力下，IGBT所需的芯片面积明显小于
MOSFET ，因而具有成本优势；
具有MOS栅控制结构，驱动与MOSFET类似；
关断时由于少数载流子存储效应，存在电流拖尾，关断损耗较高，
也限制了使用频率；
由于没有自身的体二极管，应用中需配合反并二极管以续流，同时
限制反向电压。 图片来源：斯达半导体官网
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IGBT概况——简介
IGBT属于全控型、电压驱动半导体器件：
不能用控制信
号控制其通
不可控型
断，如普通功
可控制导通，
率二极管VD
不能控制关断，
是否可控 半控型
如普通晶闸管
可控制其导通
SCR
和关断，如GtR、
电力半导体器
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