浙江省2004年7月高等教育自学考试线性电子电路试题历年试卷.docxVIP

?( ?( ) D. 击穿区 浙江省 2004 年 7 月高等教育自学考试 线性电子电路试题 课程代码： 02340 一、填空题 (每小题 1 分，共 10 分) 1.半导体是依靠 __________和空穴两种载流子导电的。 2.PN 结中的反向击穿现象按物理机制可分为 __________和齐纳击穿两大类。 3.当晶体三极管工作在发射结加 __________、集电结加反偏的模式时，它呈现的主要特性是正向 受控作用。 4.若测得晶体管的三个电极电位分别是 -5V， -4.7V， -2V ，则该管类型是 __________ 。 5.场效应管的饱和区又称放大区，它是沟道 6.MOS 管分为 __________种类型。 __________后所对应的工作区。 7.三种基本组态晶体管放大电路中，共集组态具有输入电阻高、输出电阻 _________ 的特点。 8.在直接耦合多级放大器中存在着需要解决的两个问题：一是级间电平的配合；二是克服 _________ 的有害影响。 9.放大电路中，要稳定输出电压，应引入 __________ 负反馈。 10.反馈放大器是一个由基本放大器和 __________构成的闭合环路。 二、单项选择题 (在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题 干的括号内。每小题 2 分，共 30 分) 1. 杂质半导体中多数载流子浓度 ( ) 。 A. 与掺杂浓度和温度无关 C. 只与温度有关 B. 只与掺杂浓度有关 D. 与掺杂浓度和温度都有关 2. 半导体二极管是温度的敏感器件，当温度增加时，其参数 IS 和 V D(on)都将发生变化，试选择正 确答案。 ( )。 A. I S 上升， V D(on) 下降 B. I S 上升， V D(on) 上升 C. I S 下降， V D(on) 下降 D. I S 下降， V D(on) 上升 3. 随着温度的升高，晶体三极管的 ( )将变小。 A. β B. V BE(on) C. I CBO D. I CEO 4. 晶体管的输出特性曲线分为四个区，请选择哪个区具有基区宽度调制效应 A. 饱和区 B. 放大区 C. 截止区 5. N 沟道耗尽型 MOS 管工作在非饱和区的条件是 ( ) 。 A. V GSV GS(th) , V DSV GS-V GS(th) B. V GSV GS(th) , V DSV GS-V GS(th) C. V GSV GS(th) , V DSV GS-V GS(th) D. V GSV GS(th) , V DSV GS-V GS(th) 6. 以下场效应管中哪个的衬底必须接在电路中的最高电位上 ?( ) A. P 沟道 JFET 管 B. N 沟道 DMOS 管 C. N 沟道 EMOS 管 D. P 沟道 EMOS 管 7. 设计一只单级放大器，要求输入阻抗小，输出阻抗大，请选择 ( )。 A. 共射放大 B. 共基放大 C.共集放大 D. 共源放大 8. 差分放大器中，用恒流源替代射极电阻 Re 是为了 ( ) 。 A. 提高 Avd B. 提高 Avc C. 提高