GB/T 41033-2021CMOS集成电路抗辐射加固设计要求.pdf

ICS49.035 CCSV29 中华人 民共和 国国家标准 / — GBT41033 2021 CMOS集成电路抗辐射加固设计要求 Desinreuirementsofradiationhardenin forCMOSIC g q g 2021-12-31发布 2022-07-01实施 国家市场监督管理总局 发 布 国家标准化管理委员会 / — GBT41033 2021 目 次 前言 ………………………………………………………………………………………………………… Ⅰ 1 范围 ……………………………………………………………………………………………………… 1 2 规范性引用文件 ………………………………………………………………………………………… 1 、 ……………………………………………………………………………………… 3 术语 定义和缩略语 1 3.1 术语和定义 ………………………………………………………………………………………… 1 3.2 缩略语 ……………………………………………………………………………………………… 2 4 设计流程 ………………………………………………………………………………………………… 2 5 抗辐射加固设计要求 …………………………………………………………………………………… 3 5.1 抗总剂量辐射加固设计原则与要求 ……………………………………………………………… 3 5.2 抗单粒子辐射加固设计原则与要求 ……………………………………………………………… 7 6 集成电路辐射效应建模与仿真要求…………………………………………………………………… 10 6.1 集成电路辐射效应建模与仿真一般要求 ………………………………………………………… 10 6.2 集成电路辐射效应建模与仿真要求 ……………………………………………………………… 10 6.3 集成电路辐射效应建模与仿真方法 ……………………………………………………………… 10 7 辐照验证试验要求……………………………………………………………………………………… 11 7.1 总剂量辐照验证试验要求 ………………………………………………………………………… 11 7.2 单粒子辐照验证试验要求 ………………………………………………………………………… 14 / — GBT41033 2021 前 言 / — 《 : 》 本文件按照 标准化工作导则 第 部分 标准化文件的结构和起草规则 的规定 GBT1.1 2020 1 起草。 。