半导体工艺 离子注入.ppt

半导体工艺;离子注入 ;1、离子注入 2、离子束的性质 3、离子束加工方式 4、离子注入系统 5、离子注入的特点 6、沟道效应及避免方法 7、离子与衬底原子的相互作用 8、注入损伤 9、退火 10、离子注入的 优缺点; ;2、离子束的性质： ;4、离子注入系统：; 聚焦系统：用来将加速后的离子聚集成直径为数毫米的离子束。 偏转扫描系统：用来实现离子束 x、y 方向的一定面积内进行扫描。 工作室：放置样品的地方，其位置可调。;1、我们的市场行为主要的导向因素，第一个是市场需求的导向，第二个是技术进步的导向，第三大导向是竞争对手的行为导向。 2、市场销售中最重要的字就是“问”。 3、现今，每个人都在谈论着创意，坦白讲，我害怕我们会假创意之名犯下一切过失。 4、在购买时，你可以用任何语言；但在销售时，你必须使用购买者的语言。 5、市场营销观念??目标市场，顾客需求，协调市场营销，通过满足消费者需求来创造利润。**** 6、我就像一个厨师，喜欢品尝食物。如果不好吃，我就不要它。***** 7、我总是站在顾客的角度看待即将推出的产品或服务，因为我就是顾客。*** 8、利人为利已的根基，市场营销上老是为自己着想，而不顾及到他人，他人也不会顾及你。**** ;离子注入系统;5、离子注入的特点：;离子注入与扩散的比较：;扩散;6、沟道效应及避免方法：; 除了转动靶片，还可以用事先生长氧化层或用Si、F等离子预非晶化的方法来消除沟道效应。对大直径Si片，还用增大倾斜角的方法来保证中心和边缘都能满足大于临界角。;7、离子与衬底原子的相互作用：;8、注入损伤：;注入离子将能量转移给晶格原子 – 产生自由原子（间隙原子－空位缺陷对） 自由原子与其它晶格原子碰撞 – 使更多的晶格原子成为自由原子 – 直到所有自由原子均停止下来，损伤才停止 一个高能离子可以引起数千个晶格原子位移;9、退火：;硅单晶退火：; 热退火特性：将欲退火的硅片置于真空或高纯气体的保护下，加热到某一温度进行热处理，由于热退火处于较高的温度，原子的振动能较大，导致原子的移动能加强，可使复杂的缺陷分解点缺陷，当它们相互靠近时就可能复合而使缺陷消失。 缺点：缺陷不能完全消除，而且容易产生二次缺陷，杂质电激活率不高，容易增加表面污染，高温容易导致杂质再分布，破坏了离子注入的优点。; 优点：通过降低退火温度，缩短退火时间 脉冲激光退火 ： 特点：退火区域受热时间短，因而损伤区杂质几乎不扩散，可以通过改变激光的波长和能量密度，可在深度上和表面上进行不同的退火处理。从而可在同一硅片上制造处不同结深和不同击穿电压的器件。 ;10、离子注入的 优缺点：;5、结面比较平坦； 6、均匀性和重复性好； 7、可以用电的方法来控制离子束，因而易于实现自动控制，同时也易于实现无掩模的聚焦离子束技术； 8、扩大了杂质的选择范围； 9、横向扩展小，有利于提高集成电路的集成度、提高器件和集成电路的工作频率； 10、离子注入中通过质量分析器选出单一的杂质离子，保证了掺杂的纯度。 ;缺点：;END