《模拟电子技术》全册完整教学课件.pptx

《模拟电子技术》全册完整教学课件;模拟电子技术;性质：技术基础课;重点：器件外特性，电路分析、应用;模拟电路特点与研究方法;模拟电子技术目录;模拟电子技术目录;课程目标;课程目标;课程目标;课程目标;课程目标;授课安排;授课安排;授课安排;授课安排;作业;1.1 信号;1. 信号： 信息的载体;2. 电信号源的电路表达形式;1. 电信号的时域与频域表示;1. 电信号的时域与频域表示;2. 信号的频谱; 非周期信号包含了所有可能的频率成分（0 ≤w ? ?）; 1.3 模拟信号和数字信号; 1.4 放大电路模型;——负载开路时的 电压增益; 另一方面，考虑到输入回路对信号源的衰减;——负载短路时的 电流增益;C. 互阻放大模型（自学）; 1.5 放大电路的主要性能指标; 1.5 放大电路的主要性能指标; 1.5 放大电路的主要性能指标; 1.5 放大电路的主要性能指标;该图称为波特图 纵轴：dB 横轴：对数坐标; 1.5 放大电路的主要性能指标;;;作业;2.1 集成电路运算放大器;;;;;;;;;;;;;电压跟随器的作用;;;;;;2.4.1 求差电路;;2.4.1 求差电路;;;;;;作业;;; 3.1.1 半导体材料;;; 价电子挣脱原子核的束缚形成电子空穴对的过程叫激发。;; 1. N型半导体; 2. P型半导体; 3. 杂质对半导体导电性的影响;;3.2 PN结的形成及特性; 3.2.1 载流子的漂移与扩散;; 在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:;;; PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流； PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。;;;;;3.3 二极管;3.3.1 二极管的结构;;;;3.4 二极管的基本电路及其分析方法;3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法;例3.4.1 电路如图所示，已知二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电阻R，求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD 。 ;;;;;;;2．模型分析法应用举例;2．模型分析法应用举例;2．模型分析法应用举例;end;3.5 特殊二极管;;(1) 稳定电压VZ;3. 稳压电路;3.5.2 变容二极管;3.5.3 肖特基二极管;3.5.4 光电子器件;3.5.4 光电子器件;3.5.4 光电子器件;作业;;;4.1.1 BJT的结构简介; 半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。;;四种工作状态; 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。 外部条件：发射结正偏 集电结反偏;2. 电流分配关系;;3. 三极管的三种组态;共基极放大电路; 综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。 实现这一传输过程的两个条件是： （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。;4.1.3 BJT的V-I 特性曲线;4.1.3 BJT的V-I 特性曲线;饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V (硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。; (1)共发射极直流电流放大系数 =（IC－ICEO）/IB≈IC / IB ? vCE=const.;1. 电流放大系数 ; 2. 极间反向电流; (2) 集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ;(1) 集电极最大允许电流ICM; 3. 极限参数;4.1.5 温度对BJT参数及特性的影响;;4.2.1 基本共射极放大电路的组成;;;;;;? 在输出特性曲线上，作出直流负载线 VCE=VCC－iCRc，与IBQ曲线的交点即为Q点，从而得到VCEQ 和ICQ。;? 根据vs的波形，在BJT的输入特性曲线图上画出vBE 、 iB 的波形;;2. 动态工作情况的图解分析;;;饱和失真的波形;;4.3.2 小信号模型分析法;;输出端交流短路时的输入电阻；;;;;;4.3.2 小信号模型分析法;;;;3. 小信号模型分析法的适用范围;共射极放大电路;;4.4.1 温度对静态工作点的影响;;b点电位基本不变的条件：;;②电压增益;②电压增益;③输入电阻;④输出电阻;;;;;4.5.1 共集电极放大电路;;;4.5.1