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[半导体照明课件]10 第9章 InGaN 发光二极管.pdf

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    第九章 InGaN 发光二极管 近年来，以SiC、II-VI族ZnSe、Ⅲ族氮化物 (GaN)为代表的宽禁带半导体材料的迅速发展。 高亮度蓝色发光管(LED)(InGaN/GaN) 的技术突破，填补了LED三基色中蓝色的空白，白 光LED应运而生。引发了人类照明领域的又一次革 命一“半导体照明”。 一、GaN基发光器件的发展 1971年，Pankove 报道了掺Zn 的MIS结构GaN发光管， 这是最早的氮化物发光器件。发光中心为Zn杂质，工作电 压60-100V ，发光波长480nm。此时，

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