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MOS集成电路工艺流程 ;mos技术;MOS具有以下优点;CMOS的分类;P阱CMOS工艺;P阱CMOS工艺;P阱CMOS工艺;P阱CMOS 工艺结构缺点;P阱CMOS工艺; ;11;12;13;14;15;16;17;18;19;20;21;22; N阱CMOS工艺 1.衬底准备; 2. 氧化、光刻N-阱(nwell); 3. N-阱注入，N-阱推进,退火，清洁表面; 4. 长薄氧、长氮化硅、光刻场区(active反版); 5.场区氧化（LOCOS）, 清洁表面 (场区氧化前可做N管场区注入和P管场区注入）; 6. 栅氧化,淀积多晶硅，多晶硅N+掺杂，反刻多晶 （polysilicon—poly); 7. P+ active注入（Pplus）（ 硅栅自对准）; 8. N+ active注入（Nplus —Pplus反版） （ 硅栅自对准）; 9. 淀积BPSG，光刻接触孔(contact)，回流; 10. 蒸镀金属1，反刻金属1（metal1); 11. 绝缘介质淀积，平整化，光刻通孔(via); 12. 蒸镀金属2，反刻金属2（metal2); 13. 钝化层淀积，平整化，光刻钝化窗孔(pad);硅栅自对准的作用;MOS管衬底电极的引出;其它MOS工艺简介;（7）场区氧化，有源区Si3N4和SiO2腐蚀，栅
氧化，沟道掺杂（阈值电压调节注入）。
（8）多晶硅淀积、掺杂、光刻和腐蚀，形成
多晶硅版。
（9）?NMOS管光刻和注入硼，形成N+版。
（10）?PMOS管光刻和注入磷，形成P+版。
（11）硅片表面生长SiO2薄膜。
（12）接触孔光刻，接触孔腐蚀。
（13）淀积铝，反刻铝，形成铝连线。
; O了
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