集成电路科学与工程导论 配套课件.pptx

00;00;00;1.1 第三次科技革命——走进信息时代;1.1.1 信息及其流动;1.1.2信息处理工具发展简史;1.1.2信息处理工具发展简史;1.1.2 信息处理工具发展简史;1.1.3 集成电路背后的物理学基础;1.1.3 集成电路背后的物理学基础;1.1.3 集成电路背后的物理学基础;1.1.3 集成电路背后的物理学基础;1.1.3 集成电路背后的物理学基础;1.2 从元器件到集成电路;1.2 从元器件到集成电路;1.2 从元器件到集成电路;1.2 从元器件到集成电路;1.3 数字集成电路;1.3.1数字集成电路演进的摩尔定律;1.3.1数字集成电路演进的摩尔定律;1.3.1数字集成电路演进的摩尔定律;1.3.1数字集成电路演进的摩尔定律;1.3.2中央处理器的发展;1.3.2中央处理器的发展;1.3.2中央处理器的发展;1.3.2中央处理器的发展;1.3.3存储器的发展;1.3.3存储器的发展;1.3.4集成电路设计工具;1.4 模拟集成电路;1.4.1 模拟集成电路基本构成;1.4.2 各类模拟集成电路;1.4.2 各类模拟集成??路;1.4.3 模拟集成电路产业;1.4.3 模拟集成电路产业;1.5 集成电路产业的发展;集成电路的生产流程主要为提出需求、IC设计、IC制造和IC封测;倒三角型市场架构;1.5.2 集成电路产业模式;三大产业模式;三大产业模式;三大产业模式;三大产业模式;1.5.2 集成电路产业模式;三大产业模式; 00;集成电路关键材料;从一粒沙到一枚集成电路芯片;从一粒沙到一枚集成电路芯片;从一粒沙到一枚集成电路芯片;半导体材料;半导体材料的基本特性;半导体材料的基本特性;半导体材料的能带结构;半导体材料的能带结构;最早的半导体材料-锗材料;最早的半导体材料-锗材料;最早的半导体材料-锗材料;最常用的半导体材料-硅材料;硅时代;;世界上第一个集成电路的宣传片（1967）;第二代半导体：III-V族化合物半导体;第二代半导体：III-V族化合物半导体;第二代半导体：III-V族化合物半导体;第三代半导体-宽禁带半导体;第三代半导体-氮化镓;第三代半导体-氮化镓;第三代半导体-氮化镓;第三代半导体;第三代半导体-碳化硅;第三代半导体-碳化硅;;;发光材料;蓝光LED：照亮21世纪的伟大发明;蓝光LED怎样改变世界？;发光材料;介电材料-高K材料;介电材料-高k材料;;;介电材料-互联材料;;磁存储材料;;磁存储材料;其他非易失存储材料;思考题;00;目 录;晶体管基本结构;场效应晶体管发展历程;集成电路器件发展趋势;目 录;金属-氧化物-半导体场效应晶体管分类;金属-氧化物-半导体场效应晶体管结构;金属-氧化物-半导体场效应晶体管特性;互补型金属-氧化物-半导体场效应晶体管;互补型金属-氧化物-半导体场效应晶体管;发展趋势-摩尔定律;目 录;闩锁效应;蓝宝石上硅技术;绝缘体上硅;PD/FD-SOI;FD-SOI-CMOS器件;绝缘体上硅器件的优势及挑战;目 录;金属-氧化物-半导体场效应晶体管的挑战;金属-氧化物-半导体场效应晶体管的挑战;晶体管的演变;鳍式场效应晶体管;FinFET结构;FinFET特征尺寸;栅极的发展趋势;环栅场效应晶体管;互补场效应管;目 录;3.5其他类型晶体管器件;高电子迁移率晶体管;高电子迁移率晶体管;高电子迁移率晶体管;低维场效应晶体管;低维场效应晶体管;自旋逻辑器件;自旋逻辑器件;隧穿场效应晶体管;隧穿场效应晶体管;总结;习题;00;4.1 集成电路工艺设备基础;4.1.1 真空基础;4.1.1 真空基础;4.1.1 真空基础;4.1.2 薄膜技术基础;4.1.3 相关物理和化学基础  ;4.1.3 相关物理和化学基础;4.2 薄膜沉积设备;4.2.1 物理气相沉积设备;4.2.1 物理气相沉积设备;4.2.1 物理气相沉积设备;4.2.1 物理气相沉积设备;4.2.1 物理气相沉积设备;4.2.1 物理气相沉积设备;4.2.1 物理气相沉积设备;4.2.1 物理气相沉积设备;4.2.1 物理气相沉积设备;4.2.2 化学气相沉积设备;4.2.2 化学气相沉积设备;4.2.2 化学气相沉积设备;4.2.3 其他沉积设备;4.3 图形制作设备;4.3 图形制作设备;4.3.1 光学曝光设备;4.3.1 光学曝光设备;4.3.1 光学曝光设备;4.3.1 光学曝光设备;4.3.1 光学曝光设备;4.3.1 光学曝光设备;4.3.1 光学曝光设备;4.3.2 电子束光刻设备;4.3.3 其他图形制作设备;4.3.3 其他图形制作设备;4.4 图形刻蚀设备;4.4.1 常用的图形转移方法;4.4.2 反应离子刻蚀设备;4.4.3 电感耦合等离