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STM32:Flash擦除与读写操作(HAL库)
应?平台:STM32F030F4P6
ST官?库:STM32Cube_FW_F0_V1.9.0
背景知识
绝?多数的单?机和微控制器(ARM,x86),地址空间都是以字节为单位的,也就是说?个地址是?个字节。
Flash存储器有个特点,就是只能写0,不能写1。所以如果原来的地址有数据了,意味着有?些位为0,这些位就相当于?效了。所以
必须写之前确保他们都为1,只有擦除才可以。另外每次擦除都必须擦除?个4K??的扇区,这是flash的特性所决定的。
对Flash操作前必需打开内部振荡器。
STM32F030F4P6的Flash存储简介
STM32F030F4P6硬件配置:??FLASH (16KB)??RAM (4KB)
(包含4个扇区,1个扇区包含4个页,每页有1Kbyte空间)
?户可以对Flash进?
和
操作。
erase
program
The main Flash memory can be programmed 16 bits at a time.
Flash memory erase
Flash memory addresses
Size(byte)
1 Kbyte
1 Kbyte
1 Kbyte
1 Kbyte
1 Kbyte
1 Kbyte
1 Kbyte
1 Kbyte
1 Kbyte
1 Kbyte
1 Kbyte
1 Kbyte
1 Kbyte
1 Kbyte
Description
Sector 0
Sector 0
Sector 0
Sector 0
Sector 1
Sector 1
Sector 1
Sector 1
Sector 2
Sector 2
Sector 2
Sector 2
Sector 3
Sector 3
0x0800 0000 - 0x0800 03FF
0x0800 0400 - 0x0800 07FF
0x0800 0800 - 0x0800 0BFF
0x0800 0C00 - 0x0800 0FFF
0x0800 1000 - 0x0800 13FF
0x0800 1400 - 0x0800 17FF
0x0800 1800 - 0x0800 1BFF
0x0800 1C00 - 0x0800 1FFF
0x0800 2000 - 0x0800 23FF
0x0800 2400 - 0x0800 27FF
0x0800 2800 - 0x0800 2BFF
0x0800 2C00 - 0x0800 2FFF
0x0800 3000 - 0x0800 33FF
0x0800 3400 - 0x0800 37FF
0x0800 3800 - 0x0800 3BFF
Flash memory addresses
1 Kbyte
Size(byte)
Description
0x0800 3C00 - 0x0800 3FFF
STM32F030F4P6的Flash读写参考代码(HAL库)
/* Base address of the Flash sectors */
1 Kbyte
Page 15
Sector 3
#define ADDR_FLASH_PAGE_0 ((uint32_t)0 /* Base @ of Page 0, 1 Kbyte */
#define ADDR_FLASH_PAGE_1 ((uint32_t)0 /* Base @ of Page 1, 1 Kbyte */
#define ADDR_FLASH_PAGE_2 ((uint32_t)0 /* Base @ of Page 2, 1 Kbyte */
#define ADDR_FLASH_PAGE_3 ((uint32_t)0x08000C00) /* Base @ of Page 3, 1 Kbyte */
#define ADDR_FLASH_PAGE_4 ((uint32_t)0 /* Base @ of Page 4, 1 Kbyte */
#define ADDR_FLASH_PAGE_5 ((uint32_t)0 /* Base @ of Page 5, 1 Kbyte */
#define ADDR_FLASH_PAGE_6 ((uint32_t)0 /* Base @ of Page 6, 1 Kbyte */
#define ADDR_FLASH_PAGE_7 ((uint32_t)0x08001C00) /* Base @ of Page 7, 1 Kbyte */
#define ADDR_FLASH_
中级注册安全工程师、计算机二级持证人
本人从事安全工作多年,已持有国家注册安全工程师证书,有着丰富的化工及工贸安全管理经验,能提供指导或编制应急预案、管理制度、操作规程、安全教育培训、检维修等资料,欢迎咨询
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