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关于成立半导体分立器件公司可行性报告.docx

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    泓域咨询 / 关于成立半导体分立器件公司可行性报告 关于成立半导体分立器件公司 可行性报告 xxx有限公司 报告说明 全球半导体分立器件诞生于上世纪中期。20世纪50年代，功率二极管、功率三极管的面世并应用于工业和电力系统;20世纪60-70年代，晶闸管等分立器件快速发展;20世纪70年代末，平面型功率MOSFET发展起来;20世纪80年代后期，沟槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，分立器件正式进入了电子应用时代;20世纪90年代，超结MOSFET逐步出现，打破传统“硅限”以满足大功率和高频化的应用需求;2008年，英飞凌(Infineon)率先推出屏蔽栅功率MOSFET，分立器

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